[发明专利]金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路

权利要求书

1.一种金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于包括：

介质层提供步骤，用于提供介质层；

电容器槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成电容器的电容器槽；

电容器槽填充步骤，用于在电容器槽中填充氮化硅；

电容器图案形成步骤，用于使所填充的氮化硅图案化，从而形成多个氮化硅柱；

氧化硅沉积步骤，用于在氮化硅柱的侧壁上沉积氧化硅；以及

金属填充步骤，用于利用金属填充图案化的氮化硅中形成的凹部。

2.根据权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于还包括重复所述介质层提供步骤、所述电容器槽形成步骤、所述电容器槽填充步骤、所述电容器图案形成步骤、所述氧化硅沉积步骤、所述导线槽形成步骤、以及所述金属填充步骤。

3.根据权利要求1或2所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于，在所述电容器槽填充步骤中，通过PECVD以沉积氮化硅-含氧气体处理的两步循环方式沉积氮化硅，并用化学机械研磨去除多余氮化硅，由此形成介质层和氮化硅的混合层。

4.根据权利要求1或2所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于，在所述电容器图案形成步骤中，通过光刻和刻蚀在所填充的氮化硅中形成电容器的图形，并且利用各向异性刻蚀进行减薄以最终形成氮化硅柱。

5.根据权利要求1或2所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于，通过PECVD以沉积氧化硅-含氧气体处理的两步循环方式沉积氧化硅，并利用各向异性刻蚀去除水平方向的氧化硅，由此形成包含氧化硅-氮化硅-氧化硅的多层绝缘体。

6.根据权利要求1或2所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于，氧化硅沉积步骤中的含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳、和二氧化碳中的一种或者多种。

7.根据权利要求6所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于，在氧化硅沉积步骤中，氧化硅沉积步骤中的含氧气体包括一氧化二氮，并且反应气体硅烷的流量在25sccm至600sccm之间，反应气体一氧化二氮的流量在9000sccm至20000sccm之间，硅烷与一氧化二氮的流量比为1∶15至1∶800之间，成膜速率处于10纳米/分钟至5000纳米/分钟之间。

8.根据权利要求1或2所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于，在氧化硅沉积步骤中的沉积氮化硅-含氧气体处理的两步循环中，含氧气体处理的气体流量在2000至6000sccm之间，处理温度在300至600摄氏度之间。

9.根据权利要求1或2所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于，在氧化硅沉积步骤中的沉积氮化硅-含氧气体处理的两步循环中，每次氮化硅沉积厚度为1纳米至10纳米。

10.根据权利要求1或2所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法，其特征在于还包括导线槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成导线的导线槽；并且，其中在所述金属填充步骤中，还利用金属填充导线槽以形成导线部分。

11.一种根据权利要求1至10所述的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法制成的金属-多层绝缘体-金属电容器。

12.一种采用了根据权利要求11所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的集成电路。