[发明专利]氮化物半导体发光装置

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：

发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及形成在p型氮化物半导体层与n型氮化物半导体层之间的活性层；

p侧电极和n侧电极，p侧电极电连接至p型氮化物半导体层，n侧电极电连接至n型氮化物半导体层；以及

接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，第一p型氮化物层和第二p型氮化物层具有范围为5nm至40nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，第二杂质浓度低于p型氮化物半导体层中接触接触层的区域的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，第一杂质浓度是第二杂质浓度的10倍以上大。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，第一p型氮化物层的第一杂质浓度是1×10²⁰/cm³以上，第二p型氮化物层的第二杂质浓度是5×10¹⁶～1×10¹⁹/cm³。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触层还包括设置在第二p型氮化物层和p型氮化物半导体层之间的附加的第一p型氮化物层。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触层还包括在第二p型氮化物层和p型氮化物半导体层之间交替布置的至少一个附加的第一p型氮化物层和至少一个附加的第二p型氮化物层。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述附加的第一p型氮化物层和所述附加的第二p型氮化物层具有范围为5nm至40nm的厚度。

9.一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：

发光结构，包括p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及形成在p型氮化物半导体层与n型氮化物半导体层之间的活性层；

p侧电极和n侧电极，p侧电极电连接至p型氮化物半导体层，n侧电极电连接至n型氮化物半导体层；以及

接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括p型氮化物层和电流扩散层，p型氮化物层具有杂质浓度从而与p侧电极形成欧姆接触，电流扩散层形成在p型氮化物层和p型氮化物半导体层之间并由n型氮化物层和SiC层中的至少一层形成。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，p型氮化物层和电流扩散层均具有范围为5nm至40nm的厚度。

11.根据权利要求9所述的装置，其中，p型氮化物层具有1×10²⁰/cm³以上的杂质浓度，电流扩散层由n型氮化物形成，所述n型氮化物具有5×10¹⁶～5×10¹⁹/cm³的杂质浓度。

12.根据权利要求9所述的装置，其中，所述接触层还包括设置在电流扩散层和p型氮化物半导体层之间的附加的p型氮化物层。

13.根据权利要求9所述的装置，其中，所述接触层还包括在电流扩散层和p型氮化物半导体层之间交替布置的至少一个附加的p型氮化物层和至少一个附加的电流扩散层。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述附加的p型氮化物层和所述附加的电流扩散层均具有范围为5nm至40nm的厚度。