[发明专利]穿硅通孔结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210082605.0 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367280A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种穿硅通孔结构，其特征在于，包含：
一半导体基底，其中设有至少一导通孔；
一导体材料层，填入该导通孔中；以及
一空气胞，设于该半导体基底，并靠近该导体材料。
2.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于：该导体材料层包括铜金属。
3.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于：该导体材料层与该半导体基底之间另包括一盖层。
4.根据权利要求3所述的穿硅通孔结构，其特征在于：该盖层包括硅氧层、氮化硅层或底部抗反射层。
5.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于：该导体材料层与该半导体基底之间另包括一阻障层。
6.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于：该空气胞是由形成于一孔洞内的硅氧层所形成。
7.根据权利要求6所述的穿硅通孔结构，其特征在于：该孔洞紧邻于该导通孔。
8.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于：该空气胞是由一低介电常数材料层所形成。
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