[发明专利]光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统有效

专利信息
申请号: 201210082947.2 申请日: 2012-03-26
公开(公告)号: CN102608860A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 郑文达 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G03F1/80 分类号: G03F1/80;G03F1/56;G03F7/20;H01L21/02
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦;丁建春
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 刻蚀 方法 组合 曝光 系统
【权利要求书】:

1.一种光刻蚀方法,其特征在于,包括:

在基底上形成待图案化的材料层;

在所述材料层上形成光致抗蚀剂层;

使用叠加的至少两光罩对所述光致抗蚀剂层进行曝光,每个光罩上设有相应图案,所述至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案;

对所述曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构;

利用所述镂空结构对材料层进行刻蚀,以形成图案化的材料层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩,每套所述光罩包括主光罩和辅光罩,至少两套光罩中的主光罩为相同光罩,而辅光罩为不同光罩。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,

所述新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

所述新图案中对应一光罩上相应图案的每一线条均位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述形成图案化的材料层的步骤之后包括:

去除所述镂空结构的光致抗蚀剂层。

7.一种光罩组合,其特征在于,包括:

第一光罩,所述第一光罩上设有第一图案;

第二光罩,所述第二光罩上设有第二图案;

其中,在使用时所述第一光罩和第二光罩叠加在一起,使所述第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案。

8.根据权利要求7所述的光罩组合,其特征在于,

所述第三图案是液晶显示面板中阵列基板的半导体制作图案。

9.根据权利要求7所述的光罩组合,其特征在于,

所述相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩,每套所述光罩包括主光罩和辅光罩,至少两套光罩中的主光罩为相同光罩,而辅光罩为不同光罩,并且所述新图案中对应主光罩上相应图案的至少一线条位于对应辅光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置。

10.一种曝光系统,其特征在于,包括:

光源;

第一光罩,所述第一光罩上设有第一图案;

第二光罩,所述第二光罩上设有第二图案;

其中,在使用时所述第一光罩和第二光罩叠加在一起,使所述第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案,所述光源发出的光透过第三图案。

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