[发明专利]等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法

权利要求书

1.一种从用于等离子体加工装置的部件除去金属污染物的方法，包括：

用清洗液清洗部件的表面以从表面除去金属污染物，该清洗液包含选自草酸、甲酸、乙酸、柠檬酸及其混合物中的至少一种酸，

其中部件选自气体注入器、介电窗、电极、观察孔、边环、聚焦环和限制环。

2.根据权利要求1的方法，其中部件是电极。

3.根据权利要求1的方法，其中部件在等离子体加工装置中先前暴露于等离子体。

4.根据权利要求1的方法，其中部件的材料选自火焰熔融的天然石英、电弧熔融的天然石英和合成石英，且表面是机加工和/或烧结的表面。

5.根据权利要求1的方法，其中表面是暴露到等离子体的表面。

6.根据权利要求1的方法，其中在清洗之前表面具有小于约10ppm的金属杂质水平。

7.根据权利要求9的方法，其中金属污染物选自Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti和Zn，且清洗的表面具有的至少一种所述金属污染物的水平小于约1000×10¹⁰原子/厘米²、或小于约100×10¹⁰原子/厘米²、或小于约10×10¹⁰原子/厘米²。

8.根据权利要求1的方法，其中金属污染物选自Ca、Mg和Na。

9.根据权利要求1的方法，还包括在用清洗液清洗之前，用刻蚀液化学刻蚀表面。

10.权利要求9的方法，其中刻蚀液包含至少一种选自氢氟酸、氟化铵、二氟化铵及其混合物的含氟化学物质。

11.权利要求9的方法，其中刻蚀的表面具有的算术平均粗糙度R_a为约1-100微英寸，且实际表面积/标称表面积比为约1.1-4或约1.2-1.5。

12.根据权利要求1的方法，还包括在清洗之前，机械抛光该部件的至少一个表面，其中机械抛光的表面具有的算术平均粗糙度R_a为约5-30微英寸，或约12-20微英寸。

13.一种在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法，所述的方法包括：

将至少一个已用根据权利要求1的方法除去金属污染物的部件安装在等离子体加工设备的等离子体室中；以及

在等离子体室内，等离子体刻蚀至少一个半导体基材。

14.根据权利要求13的方法，还包括在等离子体刻蚀半导体基材以前将部件等离子体调整小于约1/2小时。