[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一开口及与其相邻的一第二开口；

一第一介电层，设置于该第一开口的下半部；

一电荷捕获介电层，设置于该第一开口的上半部，以覆盖该第一介电层；

具有一既定导电类型的一掺杂区，形成于邻近该第一开口及该第二开口的该半导体基底内，其中具有该既定导电类型的该掺杂区的极性不同于该电荷捕获介电层内捕获电荷的极性；以及

一栅极电极，设置于该第二开口的下半部内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于该电荷捕获介电层的一下表面边缘低于该栅极电极的一上表面边缘。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于该电荷捕获介电层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于该第一介电层包括氧化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一第二介电层，设置于该第二开口的一上半部内，以覆盖该栅极电极；以及

一栅极介电层，夹设于该栅极电极与具有该既定导电类型的该掺杂区之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一绝缘衬层，夹设于该第一开口的该下半部与该第一介电层之间，且夹设于该第一开口的该上半部与该电荷捕获介电层之间。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，其内具有一第一开口；

在该第一开口的下半部内形成一第一介电层；

在该第一开口的上半部内形成一电荷捕获介电层，以覆盖该第一介电层；

在该半导体基底内形成与该第一开口相邻的一第二开口；

在该第二开口的下半部内形成一栅极电极；以及

在邻近该第一开口及该第二开口的该半导体基底内形成具有一既定导电类型的一掺杂区，其中具有该既定导电类型的该掺杂区的极性不同于该电荷捕获介电层内捕获电荷的极性。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于该电荷捕获介电层的一下表面边缘低于该栅极电极的一上表面边缘。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于该电荷捕获介电层包括氮化硅。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于该第一介电层包括氧化硅。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在该第二开口的一上半部内形成一第二介电层，以覆盖该栅极电极；以及

在该栅极电极与具有该既定导电类型的该掺杂区之间形成一栅极介电层。

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括在该第一开口的该下半部与该第一介电层之间以及该第一开口的该上半部与该电荷捕获介电层之间形成一绝缘衬层。