[发明专利]MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法

权利要求书

1.一种MOS器件阈值电压波动性的测量电路，其特征在于，所述测量电路包括：类型相同的待测MOS管和标准MOS管，所述待测MOS管和标准MOS管串联连接。

2.如权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述待测MOS管为PMOS管MP1时，所述标准MOS管为PMOS管MP2，所述PMOS管MP1的源端及衬底分别与电源电压VDD相连，所述PMOS管MP1的漏端与所述PMOS管MP2的源端及衬底分别相连、且将连接点作为输出端OUT，所述PMOS管MP2的栅端与漏端相连。

3.如权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述待测MOS管为NMOS管MN1时，所述标准MOS管为NMOS管MN2，所述NMOS管MN1的源端及衬底分别接地，所述NMOS管MN1的漏端与所述NMOS管MN2的源端及衬底分别相连、且将连接点作为输出端OUT，所述NMOS管MN2的漏端与栅端相连。

4.一种基于权利要求1～3中任一项所述的测量电路的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤：

S1：向所述待测MOS管和标准MOS管的栅端分别提供第一预设电压Vb1和第二预设电压Vb2，以使得所述待测MOS管和标准MOS管均工作在饱和区；

S2：计算所述待测MOS管相对于所述标准MOS管的阈值电压差；

S3：将所述待测MOS管换为当前组待测MOS器件中的其他MOS管，并重复执行步骤S1～S2，直至所述当前组待测MOS器件中的所有MOS管均被选中过，以获得MOS器件阈值电压的波动性。

5.如权利要求4所述的测量方法，其特征在于，所述待测MOS管相对于所述标准MOS管的阈值电压差通过以下公式计算，

V_th2-V_th1＝V_GS2-V_GS1

其中，V_GS2＝Vb2-V_OUT，V_GS1＝Vb1-VDD，V_th1为所述待测MOS管的阈值电压为，V_th2为所述标准MOS管的阈值电压，V_GS1为所述待测MOS管的栅源电压，V_GS2为所述待测MOS管的栅源电压，V_OUT为输出端OUT的电压，VDD为电源电压，Vb1为第一预设电压，Vb2为第二预设电压。