[发明专利]一种以单质碘为催化剂原位生长一维纳米阵列氧化锌光电薄膜的方法

权利要求书

1.一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料的制备方法，其特征在于：在锌片表面原位生长一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料，纳米晶直径范围为60nm~200nm，长度范围为2μm~3μm，形貌均匀且致密，其制备步骤依次为：

1）将表面洁净的金属锌基底材料平放于容器底部，然后加入浓度0.2500mol/L~0.5125mol/L氢氧化钠溶液，最后将碘粉加入到氢氧化钠溶液表面，并避免与金属锌基底材料直接接触，其碘粉的质量浓度范围2.0g/L~10.0g/L；  

2）将容器放于160℃温度下反应12小时，反应结束后即制得在锌基底材料的表面原位生长出具有一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料；

3）步骤2）产物用无水乙醇洗涤3次，室温干燥即可。

2.根据权利要求1所述的一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的金属锌基底材料是指金属锌箔片。

3.根据权利要求1所述的一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的容器为具有聚四氟乙烯内胆的不锈钢反应釜，容积为28mL，其使用前依次用自来水、蒸馏水各洗涤3次，烘干。

4.根据权利要求1所述的一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的具有洁净金属锌表面的基底材料，是将金属锌基底材料置于0.6mol/L稀硝酸中浸泡1分钟，然后置于无水乙醇中超声清洗3分钟，最后将样品浸泡于无水乙醇中待用。