[发明专利]一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜及其制备方法

权利要求书

1. 一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，主要由基层黏合氟基膜层构成，其特征在于，所述的基层的表面具有等离子体处理化膜层Ⅱ或等离子体处理表面接枝共聚物层Ⅱ；所述的氟基膜层的表面具有等离子体处理化膜层Ⅰ且等离子体处理化膜层Ⅰ的表面具有等离子体处理表面接枝共聚物层Ⅰ。

2.根据权利要求1所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，其特征在于，所述的基层黏合氟基膜层为单面或双面黏合。

3.根据权利要求1所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，其特征在于，所述的基层为PET层。

4.根据权利要求1所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，其特征在于，所述的基层是以液晶聚合物或PBT树脂或PEN树脂的若干种热熔共混改性PET树脂的高分子材料基层，其中液晶聚合物或PBT树脂或PEN树脂的含量以重量计为5-30wt%，余量为PET树脂。

5.根据权利要求1所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，其特征在于，所述的基层的厚度为10-500μm。

6.根据权利要求1所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，其特征在于，所述的氟基膜层为聚氟乙烯PVF基膜层或聚偏二氟乙烯PVDF基膜层或聚四氟乙烯PTEF基膜层或四氟乙烯、六氟丙烯、偏二氟乙烯的三元共聚物THV所形成的基膜层或聚三氟氯乙烯基膜层。

7.根据权利要求1所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，其特征在于，所述的氟基膜层的厚度为1-50μm。

8.根据权利要求1所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜，其特征在于，所述的等离子体处理化膜层或等离子体处理表面接枝共聚物层的厚度为0.05-5μm。

9.权利要求1-8之一所述的一种低温等离子体化处理的太阳能电池背膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括下述步骤：

（1）在氟基膜层的表面做低温等离子体化处理，形成等离子体处理化膜层Ⅰ；

（2）在氟基膜层表面的等离子体处理化膜层Ⅰ的表面做低温等离子体化处理，形成等离子体处理表面接枝共聚物层Ⅰ；

（3）在基层的表面做低温等离子体化处理，形成等离子体处理化膜层Ⅱ或等离子体处理表面接枝共聚物层Ⅱ；

（4）将形成等离子体处理化膜层Ⅱ或等离子体处理表面接枝共聚物层Ⅱ的基层加热至50-250℃，然后双面或单面黏合具有等离子体处理化膜层Ⅰ和等离子体处理表面接枝共聚物层Ⅰ的氟基膜层，最后烘烤5-50s即可。