[发明专利]功率晶体管组件的制作方法

权利要求书

1.一种超级结结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，具有一第一导电类型；

于所述半导体基底中形成至少一沟槽；

在所述沟槽两侧的所述半导体基底中分别形成两扩散掺杂区，其中各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽侧壁的掺杂浓度大于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽侧壁的掺杂浓度，且各所述扩散掺杂区具有不同于所述第一导电类型的一第二导电类型；

进行一热氧化制程，在所述沟槽的侧壁形成一氧化层，其中与所述沟槽的侧壁相接触的各所述扩散掺杂区的一部分与氧反应为所述氧化层的一部分；以及

移除所述氧化层。

2.如权利要求1的超级结结构的制作方法，其特征在于，形成所述扩散掺杂区的步骤包括：

在所述沟槽中填入一掺杂物来源层，其中所述掺杂物来源层包括多个掺杂物，且所述掺杂物具有所述第二导电类型；以及

进行一热趋入制程，将所述掺杂物扩散至所述半导体基底中，以形成所述扩散掺杂区。

3.如权利要求2的超级结结构的制作方法，其特征在于，在形成所述扩散掺杂区的步骤与进行所述热氧化制程之间，所述制作方法还包括移除所述掺杂物来源层。

4.如权利要求3的超级结结构的制作方法，其特征在于，在进行热氧化制程与移除所述掺杂物来源层的步骤之间，所述制作方法还包括依序进行填入另一掺杂物来源层的步骤、另一热趋入制程以及移除所述另一掺杂物来源层的步骤至少一次。

5.如权利要求1的超级结结构的制作方法，其特征在于，在提供所述半导体基底的步骤与形成所述沟槽的步骤之间，所述制作方法还包括在所述半导体基底上形成一硬掩模层，且所述硬掩模层具有至少一开口。

6.如权利要求5的超级结结构的制作方法，其特征在于，在移除所述氧化层的步骤之后，所述沟槽具有一宽度，大于所述开口的一宽度。

7.如权利要求1的超级结结构的制作方法，其特征在于，移除所述氧化层的步骤包括一湿式蚀刻制程。

8.如权利要求1的超级结结构的制作方法，其特征在于，所述热氧化制程所通入的一气体包括水气、氧气、氯化氢与水气的混合气体、氯化氧与氧气的混合气体、氮气与水气的混合气体或氮气与氧气的混合气体。

9.如权利要求1的超级结结构的制作方法，其特征在于，所述热氧化制程的一温度范围介于800℃与1200℃之间。

10.一种功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，具有一第一导电类型；

在所述半导体基底中形成至少一沟槽；

在所述沟槽两侧的所述半导体基底中分别形成两扩散掺杂区，其中各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽侧壁的掺杂浓度大于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽侧壁的掺杂浓度，且各所述扩散掺杂区具有不同于所述第一导电类型的一第二导电类型；

进行一热氧化制程，在所述沟槽的侧壁以及底部形成一氧化层，其中与所述沟槽侧壁相接触的各所述扩散掺杂区的一部分与氧反应为所述氧化层的一部分；

移除所述氧化层；

在所述沟槽中形成一绝缘层；

在所述沟槽至少一侧的所述半导体基底上形成一栅极结构；

在所述栅极结构的两侧的所述半导体基底中分别形成两基体掺杂区，且各所述基体掺杂区分别与各所述扩散掺杂区相接触，其中所述基体掺杂区具有所述第二导电类型；以及

在各所述基体掺杂区中分别形成一源极掺杂区。

11.如权利要求10所述的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，形成所述扩散掺杂区的步骤包括：

在所述沟槽中填入一掺杂物来源层，其中所述掺杂物来源层包括多个掺杂物，且所述掺杂物具有所述第二导电类型；以及

进行一热趋入制程，将所述掺杂物扩散至所述半导体基底中，以形成所述扩散掺杂区。

12.如权利要求11的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，在形成所述扩散掺杂区的步骤与进行所述热氧化制程之间，所述制作方法还包括移除所述掺杂物来源层。

13.如权利要求12的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，在进行热氧化制程与移除所述掺杂物来源层的步骤之间，所述制作方法还包括依序进行填入另一掺杂物来源层的步骤、另一热趋入制程以及移除所述另一掺杂物来源层的步骤至少一次。