[发明专利]阻变存储器的制备方法及阻变存储器

权利要求书

1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；

B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；

C：采用丝网印刷机将配置好的金属氧化物浆料印刷到衬底和金属字线上，再经热处理得到阻变层；

D：采用丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到阻变层上，经热处理得到金属位线。

2.如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B进一步包括以下步骤：

B1：在强烈搅拌下，将配制好的50mL三乙胺溶液加入0.1mol/L乙酸锌溶液中；

B2：不断搅拌直至形成稳定的溶胶；

B3：滤除大颗粒的金属氧化物，再将溶胶放入高速冷冻离心机中离心，得到金属氧化物沉淀；

B4：用去离子水和纯酒精清洗金属氧化物沉淀；

B5：在高真空中旋转蒸发除水后研磨得到金属氧化物浆料。

3.如权利要求2所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B1进一步包括：使用滴液漏斗将三乙胺溶液缓慢地加入到乙酸锌溶液中。

4.如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物包括：氧化铪、氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化钨、氧化钽中的至少一种。

5.一种利用权利要求1-4中任一项所述方法制备的阻变存储器，其特征在于，由下到上依次包括：衬底层(101)、金属字线层(102)、阻变层(103)和金属位线层(104)，所述金属字线层(102)中的字线与所述金属位线层(104)中的位线相交叉，所述字线与位线的交叉点对应的阻变层形成阻变单(105)。

6.如权利要求5所述的阻变存储器，其特征在于，所述金属字线层(102)或金属位线层(104)的材质包括：铂、钛、铜、铝、氮化钛、镍、钨或掺杂硅。

7.如权利要求5所述的阻变存储器，其特征在于，所述衬底层(101)的材质包括玻璃、硅或塑料。

8.如权利要求5所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层(103)的材质包括：氧化铪、氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化钨、氧化钽中的至少一种。