[发明专利]薄膜封装件、光电子器件及其封装方法有效
申请号: | 201210084745.1 | 申请日: | 2012-03-27 |
公开(公告)号: | CN102651456A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 陈珉;于军胜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 封装 光电子 器件 及其 方法 | ||
1.一种薄膜封装件,其特征在于,包括:
薄膜封装层;
所述薄膜封装层包括紫外光固化材料层;
所述紫外光固化材料层由紫外光固化材料形成,所述紫外光固化材料包括质量百分含量为25~95%的环氧大豆油丙烯酸酯和质量百分含量为5~75%的紫外光引发剂。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装件,其特征在于,所述紫外光引发剂选自2-羟基-2甲基苯甲酮、二苯甲酮和安息香乙醚中的一种或几种。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜封装件,其特征在于,所述紫外光固化材料还包括活性稀释剂和阻聚剂中的至少一种;
其中,所述活性稀释剂选自三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯和苯乙烯中的一种或几种;
所述阻聚剂选自苯二酚、三(N-亚硝基-N苯基羟胺)铝盐、4-甲氧基苯酚和对羟基苯甲醚中的一种或几种。
4.根据权利要求3所述的薄膜封装件,其特征在于,在所述紫外光固化材料还包括活性稀释剂和阻聚剂;
在所述紫外光固化材料中,所述环氧大豆油丙烯酸酯的质量百分含量为25~60%,所述活性稀释剂的质量百分含量为30~60%,所述紫外光引发剂的质量百分含量为5~15%,所述阻聚剂的质量百分含量为0.01~2%。
5.根据权利要求1所述的薄膜封装件,其特征在于,所述薄膜封装层还包括:
无机绝缘材料层;
在所述薄膜封装层中,所述无机绝缘材料层位于所述紫外光固化材料层的下方。
6.根据权利要求5所述的薄膜封装件,其特征在于,所述无机绝缘材料包括Al2O3。
7.一种光电子器件,其特征在于,包括:
光电子器件主体;及
权利要求1-6任一项所述的薄膜封装件;
其中,所述薄膜封装件设置于所述光电子器件主体的待封装部件上。
8.根据权利要求7所述的光电子器件,其特征在于,所述光电子器件包括:
有机电致发光二极管、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机薄膜晶体管和光探测器。
9.一种光电子器件的封装方法,其特征在于,包括:
使用质量百分含量为25~95%的环氧大豆油丙烯酸酯和质量百分含量为5~75%的紫外光引发剂配置紫外光固化材料;
利用所述紫外光固化材料在光电子器件主体的待封装部件上形成紫外光固化材料层,所述紫外光固化材料层构成薄膜封装层,所述薄膜封装层构成薄膜封装件。
10.根据权利要求9所述的光电子器件的封装方法,其特征在于,在所述利用紫外光固化材料在光电子器件主体的待封装部件上形成紫外光固化材料层之前包括:
利用无机绝缘材料在光电子器件主体的待封装部件上形成无机绝缘材料层;
则利用紫外光固化材料在光电子器件主体的待封装部件上形成紫外光固化材料层包括:
利用紫外光固化材料在所述无机绝缘材料层上形成紫外光固化材料层,所述无机绝缘材料层和所述紫外光固化材料层构成薄膜封装层,所述薄膜封装层构成薄膜封装件。
11.根据权利要求10所述的光电子器件的封装方法,其特征在于,在所述利用紫外光固化材料在所述无机绝缘材料层上形成紫外光固化材料层后,还包括:
在所述形成了紫外光固化材料层的光电子器件主体的待封装部件上交替形成无机绝缘材料层和紫外光固化材料层规定次数。
12.根据权利要求10或11所述的光电子器件的封装方法,其特征在于,
所述形成无机绝缘材料层包括:
通过等离子增强型化学气象沉积方法形成无机绝缘材料层;
所述形成紫外光固化材料层包括:
将所述紫外光固化材料旋转涂覆或喷射涂覆于所述无机绝缘材料层上,再以紫外灯照射,形成紫外光固化材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择