[发明专利]热改善的集成电路封装件

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路封装件，尤其是热改善的集成电路封装件。

背景技术

由于集成电路的发展，所以半导体行业已经经历了由于不断改善各种电子元件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度所导致的持续快速发展。在很大程度上，这种集成密度的改善源于反复减小最小部件尺寸，这允许将更多的元件集成在给定区域中。相应地，增大的密度允许有更小的集成电路芯片。

作为增大集成电路芯片的密度的结果，需要封装的动态解决方案以实现与芯片外部的元件的更多连接，并且提供更小的芯片尺寸。一种封装技术通常被称作嵌入式晶圆级球栅阵列(eWLB)封装件。eWLB通常满足这些额外的外部连接的需要，并且提供更小的芯片尺寸以及具有其他优点。

eWLB封装件中的芯片可能有时变得过热，这可能导致对芯片的损害。试图防止过热的一种现有方法是增加外部散热器。因为eWLB封装件内在的部件，这种方法没有取得巨大成功。另一种方法是在使用eWLB封装件的产品中使用散热套件，例如，风扇。然而，这种方法可能不适用于没有用于散热套件的空间的高性能手持产品。

因此，本领域中需要eWLB封装件的改善的热性能。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路封装件，包括：芯片，包括有源面和与所述有源面相对的背面；热元件，物理连接至所述芯片的所述背面；以及模塑料，封装所述芯片，所述热元件的暴露面通过所述模塑料暴露出来。

在该集成电路封装件中，进一步包括：粘合膜，在所述芯片和所述热元件之间，所述粘合膜将所述热元件物理连接至所述芯片的所述背面。

在该集成电路封装件中，其中，所述热元件包括金属。

在该集成电路封装件中，其中，所述热元件包括金属并且所述金属选自由铜、镍、铝、及其组合组成的组。

在该集成电路封装件中，其中，所述热元件包括半导体芯片。

在该集成电路封装件中，其中，所述热元件包括半导体芯片并且所述半导体芯片包括与所述芯片所包括的材料相同的材料。

在该集成电路封装件中，其中，所述热元件包括半导体芯片并且所述半导体芯片为伪芯片。

在该集成电路封装件中，进一步包括：再分布元件，位于所述芯片的所述有源面上和所述模塑料上。

在该集成电路封装件中，进一步包括：再分布元件，位于所述芯片的所述有源面上和所述模塑料上；球栅阵列，通过所述再分布元件电连接至所述芯片的所述有源面的接合焊盘。

根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路封装件，包括：芯片，具有第一表面和第二表面，所述第一表面包括接合焊盘，所述第二表面与所述第一表面相对；散热元件，位于所述芯片的所述第二表面上；以及模塑料，位于所述芯片的侧缘上，所述芯片的所述侧缘从所述芯片的所述第一表面延伸至所述第二表面，所述模塑料具有外表面，通过所述外表面暴露所述散热元件的暴露面。

在该集成电路封装件中，其中，所述散热元件的所述暴露面与所述模塑料的所述外表面共平面。

在该集成电路封装件中，其中，通过所述模塑料封装所述散热元件的侧缘。

在该集成电路封装件中，其中，所述散热元件包括选自基本上由金属、半导体、以及其组合所组成的组的材料。

在该集成电路封装件中，进一步包括：再分布元件，位于所述模塑料上和所述芯片的所述第一表面上；以及球栅阵列，包括焊料球，通过所述再分布元件将所述焊料球电连接至所述接合焊盘。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于形成集成电路封装件的方法，所述方法包括：将热元件设置在芯片的背面上；通过模塑料封装所述芯片，所述热元件的表面未被所述模塑料覆盖；以及在所述芯片的有源面上和所述模塑料上形成再分布层。

在所述方法中，进一步包括：将所述芯片的所述有源面粘附至载体衬底；以及在形成所述再分布层之前，从所述芯片的所述有源面去除所述载体衬底。

在所述方法中，其中，使用所述模塑料封装所述芯片包括使用压模法。

在所述方法中，进一步包括：形成电连接至所述再分布层的球栅阵列，所述再分布层电连接至位于所述芯片的所述有源面上的接合焊盘。

在所述方法中，其中，将所述热元件粘附至所述芯片的所述背面。

在所述方法中，其中，所述热元件包括金属、伪芯片、或者其组合。

附图说明

为了更好地理解本实施例及其优点，现在将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中：