[发明专利]电荷泵及电荷泵系统

权利要求书

1.一种电荷泵，其特征在于，包括升压电路、控制电路和电压传输电路；

所述升压电路，用于根据第一控制信号将第一输入电压升压；

所述电压传输电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极连接所述升压电路，栅极连接所述控制电路，漏极作为所述电荷泵的第一输出端；所述控制电路用于控制所述第一NMOS管的导通或断开；所述第一NMOS管在导通时将升压后的第一输入电压输出；

其中，所述第一NMOS管包括P型衬底，在所述P型衬底中包括N型阱区，在所述N型阱区中包括P型阱区，在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区；所述第一NMOS管的P型衬底、N型阱区分别与源极区相连。

2.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述升压电路包括第一电容和反相器，所述第一电容的一端连接所述第一NMOS管的源极，另一端连接所述反相器的输出端，所述反相器的输入端接收第一控制信号。

3.如权利要求2所述的电荷泵，其特征在于，所述控制电路包括第二电容，所述第二电容的一端连接所述第一NMOS管的栅极，另一端接收第二控制信号；所述第二控制信号与第一控制信号的相位相反，并且所述第二控制信号的幅值大于所述第一控制信号的幅值。

4.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述电荷泵还包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极，栅极连接所述第一NMOS管的栅极，漏极作为所述电荷泵的第二输出端。

5.如权利要求4所述的电荷泵，其特征在于，所述第二NMOS管包括P型衬底，在所述P型衬底中包括N型阱区，在所述N型阱区中包括P型阱区，在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区；所述第二NMOS管的衬底与源极区相连。

6.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述电荷泵还包括第三NMOS管；所述第三NMOS管的源极连接第一NMOS管的源极，栅极连接所述第一NMOS管的漏极，漏极连接所述第一NMOS管的栅极并接收第二输入电压。

7.如权利要求6所述的电荷泵，其特征在于，所述第三NMOS管包括P型衬底，在所述P型衬底中包括N型阱区，在所述N型阱区中包括P型阱区，在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区；所述第三NMOS管的衬底与源极区相连。

8.一种电荷泵系统，其特征在于，包括多个如权利要求1至7任一项所述的电荷泵，其中，上阶电荷泵的输出端对应连接下阶电荷泵的输入端。