[发明专利]波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法有效

专利信息
申请号: 201210085505.3 申请日: 2008-03-07
公开(公告)号: CN102637997A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 藤原直树;石井启之;大桥弘美;冈本浩 申请(专利权)人: 日本电信电话株式会社
主分类号: H01S5/0625 分类号: H01S5/0625;H01S5/024;H01S5/125
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴秋明
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 波长 可调 半导体 激光 元件 及其 控制 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种波长可调半导体激光元件,具备:

多个具有振荡激光的活性区域和移位激光的波长的波长可调区域的激光器区域,以及

与所述多个激光器区域光连接来执行多个激光器区域之间的光合波的光合波器,其中彼此相邻地并排配置所述多个激光器区域,并且投入所述多个激光器区域的所述波长可调区域的功率之和始终恒定,

其中,每一个激光器区域具有单个台面构造;

将未被驱动的激光器区域的波长可调区域用作热补偿区域;

所述波长可调区域由形成有分布反射型衍射光栅的非活性波导路径构成;

所述分布反射型衍射光栅的周期根据激光器区域而不同;

通过向所述热补偿区域注入电流或施加电压,将投入的功率的大部分变换为热,

所述波长可调半导体激光元件的控制器具备:

输入部,向所述多个激光器区域的所述活性区域和所述波长可调区域的每一个输入电流或电压;

计测部,计测所述波长可调区域的每一个的电流-电压特性;

存储部,存储计测的所述电流-电压特性;

处理部,根据存储的所述电流-电压特性,计算所述波长可调区域的每一个的电流-功率特性,并且根据所述电流-电压特性和所述电流-功率特性,确定对所述波长可调区域的每一个施加的电流或电压,使投入所述波长可调区域的功率的和始终恒定;和

控制部,进行控制,将确定的所述电流或所述电压输入到所述波长可调区域。

2.根据权利要求1所述的波长可调半导体激光元件,其特征在于:

所述波长可调区域的每一个的一部分或全部由形成有分布反射型衍射光栅的非活性波导路径构成,或由成为相位调整区域的非活性波导路径构成。

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