[发明专利]一种用于相变存储器的钨掺杂改性的相变材料及其应用

权利要求书

1.一种用于相变存储器的钨掺杂改性的相变材料，其化学组成符合化学通式W_xA_1-x，其中A选自Ge₂Sb₂Te₅、Sb_yTe_1-y和Ge_zTe_1-z中的一种，x、y、z为原子百分比，且0＜x＜0.65，0.35＜y＜0.8，0.25＜z＜0.95。

2.如权利要求1所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，0.01≤x≤0.2。

3.如权利要求1所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，0.4≤y≤0.7。

4.如权利要求1所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，0.45≤z≤0.6。

5.如权利要求1所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，所述钨掺杂改性的相变材料为在外部电驱动脉冲作用下具有可逆相变的材料。

6.如权利要求1所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，所述钨掺杂改性的相变材料为相变薄膜材料。

7.如权利要求1所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，所述钨掺杂改性的相变材料利用W与Te所形成的化学键来提高其非晶态的热稳定性以及提高其晶态的电阻值。

8.如权利要求1所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，所述钨掺杂改性的相变材料通过控制W元素的含量，同时改变Ge-Sb-Te中各元素的比例、Ge-Te中各元素的比例或者Sb-Te中各元素的比例而得到不同结晶温度、不同结晶激活能和不同熔点的相变存储材料。

9.如权利要求1-8任一所述的钨掺杂改性的相变材料，其特征在于，所述钨掺杂改性的相变材料采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、电子束蒸发法或电镀法制得。

10.一种基于权利要求1-9任一所述的钨掺杂改性的相变材料的相变存储器件单元。