[发明专利]在退出节电模式时从易失性半导体存储器上启动的磁盘驱动器有效
申请号: | 201210086056.4 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN102708876A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | W·A·索斯泰德 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G11B5/54 | 分类号: | G11B5/54;G11B21/10;G11C11/4072 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 退出 节电 模式 易失性 半导体 存储器 启动 磁盘驱动器 | ||
1.一种磁盘驱动器,其包括:
磁盘;
在所述磁盘上方致动的磁头;
第一易失性半导体存储器VSM;
第二VSM;和
控制电路,其可操作以:
当所述磁盘驱动器通电时,从所述磁盘上第一次读取VSM初始化代码;
使用所述VSM初始化代码第一次初始化所述第一VSM;
在所述第二VSM内存储所述VSM初始化代码;
进入节电模式;和
当退出所述节电模式时,使用存储在所述第二VSM内的所述VSM初始化代码第二次初始化所述第一VSM。
2.根据权利要求1所述的磁盘驱动器,其中当所述磁盘驱动器通电时,所述控制电路进一步可被操作以执行来自启动只读存储器ROM的磁盘初始化代码,以便可从所述磁盘读取所述VSM初始化代码。
3.根据权利要求1所述的磁盘驱动器,其中:
所述控制电路包括可被操作以执行所述VSM初始化代码的微处理器;和
当进入所述节电模式时,所述控制电路进一步被可操作以使所述微处理器断电。
4.根据权利要求1所述的磁盘驱动器,其中在所述节电模式下,所述控制电路进一步可被操作以刷新所述第一VSM。
5.根据权利要求1所述的磁盘驱动器,其中与进入所述节电模式相关,所述控制电路进一步可被操作:
从所述磁盘第二次读取所述VSM初始化代码;和
在从所述磁盘第二次读取所述VSM初始化代码后,在所述第二VSM内存储所述VSM初始化代码。
6.根据权利要求1所述的磁盘驱动器,其中在第一次初始化所述第一VSM后,所述控制电路进一步可被操作:
从所述磁盘第一次读取磁盘驱动器启动代码并在所述第一VSM中存储所述磁盘驱动器启动代码;
在进入所述节电模式之前第一次执行来自所述第一VSM的所述磁盘驱动器启动代码;和
在第二次初始化所述第一VSM后第二次执行来自所述第一VSM的所述磁盘驱动器启动代码。
7.根据权利要求6所述的磁盘驱动器,其中所述控制电路进一步可被操作:
在第一次执行所述磁盘驱动器启动代码后从所述第一VSM上清除所述磁盘驱动器启动代码;和
在进入所述节电模式之前,从所述磁盘第二次读取所述磁盘驱动器启动代码并在所述第一VSM中存储所述磁盘驱动器启动代码。
8.根据权利要求1所述的磁盘驱动器,其中所述第二VSM包括多个寄存器。
9.根据权利要求8所述的磁盘驱动器,其中所述控制电路进一步可被操作以通过在第一寄存器中储存一地址并在第二寄存器中存储相应的值,而在所述第二VSM内存储所述VSM初始化代码。
10.根据权利要求9所述的磁盘驱动器,其中所述控制电路进一步可被操作以通过将存储在所述第二寄存器内的所述值赋值到存储在所述第一寄存器内的所述地址上,而第二次初始化所述第一VSM。
11.根据权利要求8所述的磁盘驱动器,其中所述控制电路进一步可被操作以通过将所述VSM初始化代码从所述寄存器复制到内部存储器中并从所述内部存储器中执行所述VSM初始化代码,而第二次初始化所述第一VSM。
12.一种操作磁盘驱动器的方法,其中所述磁盘驱动器包括在磁盘上方致动的磁头、第一易失性半导体存储器VSM和第二VSM,所述方法包括:
当所述磁盘驱动器通电时,从所述磁盘第一次读取VSM初始化代码;
使用所述VSM初始化代码第一次初始化第一VSM;
在第二VSM内存储所述VSM初始化代码;
进入节电模式;和
当退出所述节电模式时,使用存储在所述第二VSM中的所述VSM初始化代码第二次初始化所述第一VSM。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,当所述磁盘驱动器通电时,进一步包括执行来自启动只读存储器ROM的磁盘初始化代码,以便能从所述磁盘读取所述VSM初始化代码。
14.根据权利要求12所述的方法,其中:
所述磁盘驱动器包括可被操作以执行所述VSM初始化代码的微处理器;和
进一步包括当进入所述节电模式时对所述微处理器断电。
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