[发明专利]GaN衬底、半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210086294.5 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102637723A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张正海;张宗民;曹伯承 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 衬底 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种氮化镓GaN衬底，其特征在于，包括：
GaN基底；
AlGaN层，位于所述GaN基底上；
p型导电层，位于所述AlGaN层的有源区上，用于耗尽所述AlGaN层上的表面态负电子并中和所述AlGaN层上的悬挂键。
2.根据权利要求1所述的GaN衬底，其特征在于，所述GaN基底包括：
底层，所述底层为SiC、蓝宝石或Si；
GaN层，位于所述底层上。
3.根据权利要求2所述的GaN衬底，其特征在于，所述p型导电层为p型GaN层。
4.根据权利要求3所述的GaN衬底，其特征在于，所述p型GaN层为掺Be的GaN层、掺Zn的GaN层或掺Mg的GaN层。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1～4中任一项所述的氮化镓GaN衬底，以及在所述GaN衬底上形成的半导体构成。
6.一种氮化镓GaN衬底的制作方法，其特征在于，包括：
在GaN基底上形成AlGaN层；
在所述AlGaN层的有源区上形成p型导电层，所述p型导电层用于耗尽所述AlGaN层上的表面态负电子并中和所述AlGaN层上的悬挂键。
7.根据权利要求6所述的GaN衬底的制作方法，其特征在于，所述在GaN基底上形成AlGaN层之前还包括形成GaN基底，所述形成GaN基底包括：
提供底层，所述底层为SiC、蓝宝石或Si；
在所述底层上形成GaN层。
8.根据权利要求6或7所述的GaN衬底的制作方法，其特征在于，在所述AlGaN层的有源区上形成p型导电层包括：
在所述AlGaN层的有源区上形成p型GaN层。
9.根据权利要求8所述的GaN衬底的制作方法，其特征在于，所述p型GaN层为掺Be的GaN层、掺Zn的GaN层或掺Mg的GaN层。
10.根据权利要求9所述的GaN衬底的制作方法，其特征在于，在所述AlGaN层的有源区上形成掺Mg的GaN层包括：
以NH3、TMGa、Cp2Mg的混合气体为源气体，H2为载气，反应压力为2～3Pa，生长温度为900～1100℃，在AlGaN上生长掺Mg的GaN层；
在700～800℃的N2气氛下对所述掺Mg的GaN层进行退火处理，退火时间为20～30分钟，形成最终的掺Mg的GaN层。
11.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
根据权利要求6～10中任一项所述的氮化镓GaN衬底的制作方法形成GaN衬底；
在所述GaN衬底上形成半导体构成。
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