[发明专利]判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序

说明书

技术领域

本发明涉及对聚焦环的更换时期进行判定的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。 

背景技术

在对基板上的膜进行蚀刻的等离子体处理装置中，为了提高形成在基板上的图案的面内均一性(蚀刻的均一性)，设置包围基板的聚焦环(例如，专利文献1、2)。聚焦环伴随着使用经过的时间，由于等离子体被蚀刻消耗，因此，形成在基板上的图案的面内均一性降低。因此，聚焦环对应着其使用时间需要定期更换。 

在先技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开2008-78208号公报 

专利文献2：日本特开2003-229408号公报 

发明内容

但是，聚焦环不是通过监视聚焦环的消耗度而进行更换的。因此，聚焦环存在如下情况，即：在能够使用的状态下被更换，和尽管过度消耗但没有被更换。 

本发明是鉴于上述问题提出的。其目的在于提供一种准确并且迅速判定聚焦环的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。 

本发明的判定方法，其在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，该判定方法的特征在于，包括：对所述图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；根据所测定的所述图案的形状或尺寸，对所述聚焦环的更换时期进行判定的判定工序。 

本发明的判定方法，对基板上的膜蚀刻而形成的图案的形状或尺寸进行测定。接着，基于测定的基板上的图案的形状或尺寸，对配置在基板的周围的聚焦环的更换时期进行判定，用于提高图案的面内均一性。 

本发明的判定方法的特征在于，所述测定工序测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述判定工序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。 

本发明的判定方法，测定图案的多个位置中的形状或尺寸。接着，在与图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大的情况下，判定为聚焦环的更换时期。 

本发明的判定方法的特征在于，与所述图案的形状相关的数据包括该图案的侧壁角度，与所述图案的尺寸相关的数据包括该图案中的线宽或线高。 

本发明的判定方法，与图案的形状相关的数据包括图案的侧壁角度。此外，与图案的尺寸相关的数据包括图案中的线宽或线高。 

本发明的判定方法的特征在于，所述聚焦环为在多种蚀刻处理中使用的部件。 

本发明的判定方法，聚焦环在多种蚀刻处理中使用。 

本发明的判定方法的特征在于，所述测定工序通过散射测量法测定所述图案的形状或尺寸。 

本发明的控制方法的特征在于，在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板的周围的聚焦环的温度进行控制，用以提高该图案的面内均一性，包括：设定所述聚焦环的温度的设定工序；测定所述图案的形状或尺寸的测定工序；基于所测定的所述图案的形状或尺寸，对在所述设定工序设定的聚焦环的温度进行反馈控制的控制工序。 

本发明的控制方法，对配置在基板的周围的聚焦环的温度进行设定，用以提高对基板上的膜进行蚀刻形成的图案的面内均一性。接着，测定图案的形状或尺寸。基于所测定的图案的形状或尺寸，对设定的聚焦环的温度进行反馈控制。 

本发明的控制方法的特征在于，所述测定工序测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述控制工序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。 

本发明的控制方法，测定图案的多个位置的形状或尺寸。接着，当与图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏移比规定的阈值大时，对聚焦环的温度进行反馈控制。 

本发明的判定装置的特征在于，在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，包括：测定所述图案的形状或尺寸的测定单元；基于该测定单元所测定的所述图案的形状或尺寸，判定所述聚焦环的更换时期的判定单元。 

本发明的判定装置，测定对基板上的膜进行蚀刻形成的图案的形状或尺寸。基于测定的图案的形状或尺寸，对配置在基板的周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高图案的面内均一性。 

本发明的判定装置的特征在于，所述测定单元测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述判定单元，当所述测定单元所测定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。