[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入方法，其使离子束进行往返射束扫描，沿与射束扫描方向正交的方向机械扫描晶片，从而对晶片进行离子注入，其特征在于，

在晶片机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个注入区域，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，从而控制各注入区域的离子注入量分布，并且与各注入区域对应地设定晶片机械扫描速度来按各注入区域分别进行控制，由此控制各注入区域的离子注入量，并且使按各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定。

2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

对于分别设定了各注入区域的射束扫描方向的离子注入量分布和离子注入量的晶片，对多个注入区域连续进行离子注入。

3.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

各注入区域在晶片的机械扫描方向上呈均等的间隔。

4.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

各注入区域在晶片的机械扫描方向上呈任意设定的间隔。

5.如权利要求1至4中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

按各注入区域与各离子注入量分布对应地分别设定所述射束扫描速度的速度模式。

6.如权利要求1至5中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

通过射束测定装置，按各注入区域分别测定与一定数的射束扫描周期量相当的离子束电流的积分值，与测定出的离子束电流的积分值对应地，根据按各注入区域通过可变设定计算出的各速度模式，控制晶片机械扫描速度。

7.如权利要求1至6中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

随着各注入区域的射束扫描速度的改变，晶片机械扫描速度改变为使射束扫描速度和晶片机械扫描速度的积按各速度模式分别恒定。

8.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

维持射束扫描速度的速度模式，并在其基准速度上乘上比例常数，按各注入区域分别改变基准速度，从而使射束扫描振幅及射束扫描频率恒定化。

9.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

目标离子注入量分布为同心圆形状的任意的不均匀二维离子注入量分布。

10.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

目标离子注入量分布为同心环形状的任意的不均匀二维离子注入量分布。

11.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

目标离子注入量分布为对多个晶片面内特定位置在局部增减离子注入量的任意的不均匀二维离子注入量分布。

12.一种离子注入装置，其使离子束进行往返射束扫描，沿与射束扫描方向大致正交的方向机械扫描晶片，从而对晶片进行离子注入，其特征在于，

该离子注入装置具备控制装置，该控制装置以校正其他半导体制造工序的晶片面内不均匀性为目的，在机械扫描方向上将晶片分为多个注入区域，能够按各上述注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并由此控制晶片内的离子注入量时，使射束扫描频率和射束扫描振幅均固定，并且在各注入区域实现所希望的离子注入量分布和离子注入量，

所述控制装置根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，由此控制各注入区域的离子注入量分布，并且与各注入区域对应地设定晶片机械扫描速度来按各注入区域分别进行控制，由此控制各注入区域的离子注入量，并且使按各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定。

13.如权利要求12所述的离子注入装置，其特征在于，

该离子注入装置进一步具备射束测定装置，该射束测定装置按各注入区域分别测定与一定数的射束扫描周期量相当的离子射束电流的积分值，

所述控制装置与所测定的离子束电流的积分值对应地按各注入区域分别控制晶片机械扫描速度。