[发明专利]离线可钢低辐射镀膜玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种离线可钢低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：所述玻璃基片上依次设有氮化硅Si₃N₄、金属镍铬NiCr、金属银Ag、金属镍铬NiCr、氮化硅Si₃N₄。

2.根据权利要求1所述离线可钢低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的厚度为3mm～15mm，所述氮化硅Si₃N₄的厚度为35nm～45nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为1.5～2.5nm，所述金属银Ag的厚度为6～10nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为2～2.5nm，所述氮化硅Si₃N₄的厚度为55～65nm。

3.根据权利要求1或2所述离线可钢低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的厚度为3mm～15mm，所述氮化硅Si₃N₄的厚度为37nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为1.9nm，所述金属银Ag的厚度为8nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为2.1nm，所述氮化硅Si₃N₄的厚度为57nm。

4.一种离线可钢低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割，用清洗机对玻璃片进行清洗；

B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10?3Pa，线速度设置为3.5米/分钟；

C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为49KW～60KW，在玻璃基片上溅射第一层35nm～45nm的氮化硅Si₃N₄；

D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0.5KW～0.75KW，在玻璃基片上溅射第二层1.5nm～2.5nm的金属镍铬NiCr；

E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2.1KW～3.2KW，在玻璃基片上溅射第三层6nm～10nm的金属银Ag；

F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0.6KW～0.80KW，在玻璃基片上溅射第四层2nm～2.5nm的金属镍铬NiCr；

G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为77KW～85KW，在玻璃基片上溅射第五层55nm～65nm的氮化硅Si₃N₄。

5.根据权利要求4所述离线可钢低辐射镀膜玻璃ALT160的制备方法，其特征在于：

所述步骤A中，玻璃基片的厚度为6mm；

所述步骤C中，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为52KW，在玻璃基片上溅射第一层37nm的氮化硅Si₃N₄；

所述步骤D中，设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0.63KW，在玻璃基片上溅射第二层1.9nm的金属镍铬NiCr；

所述步骤E中，设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2.8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm的金属银Ag；

所述步骤F中，设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0.69KW，在玻璃基片上溅射第四层2.1nm的金属镍铬NiCr；

所述步骤G中，设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为80KW，在玻璃基片上溅射第五层57nm的氮化硅Si₃N₄。