[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

基板；

至少二衬垫，沿第一方向相邻设置于该基板上；

钝化层，覆盖该基板并覆盖各该衬垫的周围上表面以分别界定至少一开口，各该开口于第二方向各具有一开口投影，该些开口投影相邻设置而不重叠，且该第一方向与该第二方向垂直；以及

至少二凸块底层金属层，分别设置于各该开口上；

至少二凸块，分别设置于各该凸块底层金属层上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该钝化层具有保护层，覆盖该基板并覆盖各该衬垫的周围上表面以分别界定至少一衬垫开口，各该衬垫开口于该第二方向各具有一衬垫开口投影，该些衬垫开口投影相互重叠。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该钝化层更具有绝缘层，覆盖在该保护层上及局部覆盖于各该衬垫开口上，以分别界定该至少一开口。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该至少二凸块的材料为金、银、铜、镍或其合金。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻的各该凸块于该第二方向的各自具有一凸块投影，且该些凸块投影局部重叠。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该至少二凸块底层金属层的材料为钛、铜、钒、钨钛或其合金。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该至少二凸块的材料为导电高分子材料。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该至少二凸块以印刷或点胶的方式设置于各该凸块底层金属层上。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板为芯片、晶圆、印刷电路板、陶瓷基板或薄膜。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该钝化层的材料为二氧化硅或氮化硅。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各该衬垫为沿该第二方向成型的长条状。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各该凸块利用电镀设置各该凸块底层金属层上。

13.如权利要求1至3任一所述的半导体结构，其特征在于，该至少二凸块定义凸块间距，且该凸块间距小于各该凸块的一凸块宽度。