[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210087674.0 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN103367647A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;钟铁涛;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机电致发光器件,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在透明阳极和金属阴极之间夹有多层有机材料薄膜(空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送层和电子注入层),当电极间施加一定的电压后,发光层就会发光。近年来,有机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以及节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注,并被认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。
目前,有机电致发光器件存在寿命较短的问题,这主要是因为有机材料薄膜很疏松,易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。因此,有机电致发光器件进入实际使用之前必须进行封装,封装的好坏直接关系到有机电致发光器件的寿命。
传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装,其边沿用紫外聚合树脂密封,但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大,增加了器件的重量,并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。以及,现有的有机电致发光器件通常不能提供良好的透光率。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷,本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该制备方法可有效地减少水汽对有机电致发光器件的侵蚀,显著地提高有机电致发光器件的寿命;透光率达到80%以上,可用于透明有机发光产品;尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括透明阳极基板、功能层、发光层、透明阴极和封装层,透明阳极基板和封装层形成封闭空间,所述功能层、发光层和透明阴极容置在所述封闭空间内,封装层依次包括非掺杂膜层、掺杂膜层和聚对苯二甲酸乙二醇酯膜层,非掺杂膜层为MgF2、苯基吗琳、8-羟基喹啉铝、ZnS或ZnSe膜,掺杂膜层为MgF2、ZnS或ZnSe膜与金属元素相掺杂形成的膜,其中,金属元素包括Ca、Ba、Sr或Mg。
优选地,透明阳极基板为导电玻璃基板或导电聚对苯二甲酸乙二醇酯膜基板。
功能层通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发光层设置于空穴传输层和电子传输层之间。优选地,功能层和发光层为通过真空蒸镀的方法或溶液涂敷的方法设置。
透明阴极为介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构。
封装层依次包括非掺杂膜层、掺杂膜层和聚对苯二甲酸乙二醇酯膜层。
非掺杂膜层为MgF2、苯基吗琳(NPB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、ZnS或ZnSe膜,起到保护有机和阴极层的作用,也有延长水氧渗透路径。
掺杂膜层为MgF2、ZnS或ZnSe膜与金属元素相掺杂形成的膜,其中,金属元素包括Ca、Ba、Sr或Mg。Ca、Ba、Sr和Mg均为高吸水性物质,可有效地减少水汽对有机电致发光器件的侵蚀,显著地提高有机电致发光器件的寿命。掺杂膜层中掺杂Ca、Ba、Sr和Mg中的一种或几种能增强水氧阻隔性能。优选地,掺杂膜层中金属元素占掺杂膜层的质量百分数为5%~15%。
优选地,非掺杂膜层的厚度为30nm~50nm,掺杂膜层的厚度为30nm~50nm。
非掺杂膜层的层数不限,可以为单层,也可以为两层或多层。掺杂膜层的层数不限,可以为单层,也可以为两层或多层。优选地,非掺杂膜层与所述掺杂膜层交替叠层设置。此时,非掺杂膜层与掺杂膜层均为多层且层数相同。
另一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
在透明阳极基板上制备功能层、发光层和透明阴极;
通过真空蒸镀的方式在透明阴极表面依次蒸镀非掺杂膜层和掺杂膜层,最后真空蒸镀聚对苯二甲酸乙二醇酯膜层形成封装层,在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜层边缘涂布紫外线胶,由紫外线固化的方式干燥硬化所述紫外线胶,密封形成封闭空间,将功能层、发光层和透明阴极容置在封闭空间内,形成有机电致发光器件;
真空蒸镀过程中的真空度为7×10-5~3×10-5Pa,蒸发速度为
非掺杂膜层为MgF2、苯基吗琳、8-羟基喹啉铝、ZnS或ZnSe;
掺杂膜层为MgF2、ZnS或ZnSe膜与金属元素相掺杂形成的膜,其中,金属元素包括Ca、Ba、Sr或Mg。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择