[发明专利]芯片接合结构及芯片接合的方法无效
申请号: | 201210087946.7 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN103247586A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 邱冠谕 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 接合 结构 方法 | ||
1.一种芯片接合结构,其特征在于,包括:
一基板,具有一芯片预定区,且该芯片预定区的表面具有多个凸块,设置在该基板上;以及
一芯片,具有一发光的正面及一相对于该正面的背面,且该背面形成有一具有多个凹陷结构的共晶接合材料层,其中每一该些凹陷结构与每一该些凸块对应接合,而使该芯片被固定在该基板的该芯片预定区上。
2.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其中该些凸块的材料是选自由金、银、铜以及前述的合金所组成的群组中的一种。
3.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其中该共晶接合材料层包括金锡合金或锡银铜合金。
4.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其中该凹陷结构与该凸块的一侧边之间的间隙小于30μm。
5.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其中该些凸块的表面齐平,且该些凸块的宽度范围为10μm至1mm。
6.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其中该些凸块的熔点高于该共晶接合材料层的熔点。
7.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其中该些凸块自该基板表面凸出的高度等于或小于该共晶接合材料层的厚度。
8.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其中该共晶接合材料层与该基板之间还包括一助熔剂或一焊接层。
9.根据权利要求8所述的芯片接合结构,其中该些凸块自该基板凸起的高度等于或小于该共晶接合材料层的厚度加上该助熔剂或该焊接层的厚度。
10.根据权利要求1至9任一所述的芯片接合结构,其中该芯片是发光二极管芯片。
11.一种芯片接合的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,具有一芯片预定区,且该芯片预定区的表面具有多个凸块在该基板上;
提供一芯片,具有一发光的正面及一相对于该正面的背面,且该背面形成有一具有多个凹陷结构的共晶接合材料层;以及
对应接合每一该些凹陷结构与每一该些凸块,而使该芯片被固定在该基板的该芯片预定区上。
12.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,其中还包括对该些凸块进行整平步骤,使得该些凸块的表面齐平,且该些凸块的宽度范围为10μm至1mm。
13.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,其中该些凸块自该基板凸起的高度等于或小于该共晶接合材料层的厚度。
14.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,还包括在该基板上涂布一助熔剂或一焊接层,覆盖在该些凸块上。
15.根据权利要求14所述的芯片接合的方法,其中该些凸块自该基板凸起的高度等于或小于该共晶接合材料层的厚度加上该助熔剂或该焊接层的厚度。
16.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,其中在该芯片接合于该基板的该芯片预定区前,还包括以一压印制程先形成该共晶接合材料层的该些凹陷结构。
17.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,其中该凹陷结构与该凸块的一侧边之间的间隙小于30μm。
18.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,其中该些凹陷结构的深度大于该些凸块的高度。
19.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,其中该些凸块的熔点高于该共晶接合材料层的熔点。
20.根据权利要求11所述的芯片接合的方法,其中该芯片是发光二极管芯片。
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