[发明专利]一种鳍型半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210088090.5 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367147A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种鳍型半导体器件的制造方法，包括：
在衬底的有源区上形成硬掩膜层；
蚀刻所述衬底以在所述有源区之间形成浅沟道；
填充所述浅沟道并对所述衬底进行平坦化处理；
去除所述硬掩膜层；
在所述有源区上通过选择性外延技术来形成鳍片。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性外延步骤的温度为500摄氏度至800摄氏度，压力从1乇至100乇。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述通过选择性外延技术形成的鳍片的厚度为至
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性外延步骤中气体包括SiH4或DCS：SiH2Cl2、HCl、B2H6和H2。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述气体中，SiH4或DCS、B2H6、HCl的气体流速为1sccm至1000sccm，H2的气体流速为0.1slm至50slm。
6.根据权利要求1所述的方法，其中鳍片的材料是硅、锗硅或碳化硅。
7.根据权利要求6所述的方法，其中锗的百分比为0至20％。
8.根据权利要求6所述的方法，其中碳的百分比为0至20％。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述的在有源区之间形成浅沟道的方法是浅沟槽隔离区形成工艺的方法。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述鳍片为Ω型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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