[发明专利]晶体管以及形成方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底表面的栅极结构；

位于紧邻所述栅极结构两侧的半导体衬底内的应力衬垫层；

所述应力衬垫层与半导体衬底相接触的表面具有种子层。

2.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述应力衬垫层为西格玛形。

3.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述种子层的材料为锗，所述应力衬垫层的材料为锗锡。

4.如权利要求3所述晶体管，其特征在于，所述应力衬垫层中，锡在锗锡中的摩尔浓度为1％～10％。

5.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述应力衬垫层为外层和内层重叠结构。

6.如权利要求5所述晶体管，其特征在于，所述种子层的材料为锗，所述应力衬垫层的外层为锗锡，内层为锡。

7.如权利要求5所述晶体管，其特征在于，所述种子层的材料为硅锗，所述应力衬垫层的外层为锗，内层为锗锡。

8.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述种子层的厚度为1～20纳米。

9.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成栅极结构；

以所述栅极结构为掩膜，在紧邻所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；

在所述开口的内侧表面形成种子层，在所述种子层表面形成应力衬垫层，所述应力衬垫层的表面与半导体衬底表面齐平。

10.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述应力衬垫层为西格玛形。

11.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述种子层的材料为锗，所述应力衬垫层的材料为锗锡。

12.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述应力衬垫层中，锡在锗锡中的摩尔浓度为1％～10％。

13.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述应力衬垫层为外层和内层重叠结构。

14.如权利要求13所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述种子层的材料为锗，所述应力衬垫层的外层为锗锡，内层为锡。

15.如权利要求13所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述种子层的材料为硅锗，所述应力衬垫层的外层为锗，内层为锗锡。

16.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述应力衬垫层的形成方法为分子束外延工艺。

17.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述种子层的形成方法为低压化学气相沉积工艺。

18.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述种子层的厚度为1～20纳米。

19.一种晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底表面的沟道层；

位于所述沟道层表面的栅极结构；

位于紧邻所述栅极结构两侧的沟道层内的应力衬垫层，所述应力衬垫层与半导体衬底相接触的表面具有种子层。

20.如权利要求19所述晶体管，其特征在于，所述沟道层的材料为掺杂锡的硅锗。

21.如权利要求20所述晶体管，其特征在于，所述沟道层中，锡在掺杂锡的硅锗中的摩尔浓度为1％～10％，锗在掺杂锡的硅锗中的摩尔浓度为10％～30％。

22.如权利要求19所述晶体管，其特征在于，所述沟道层的厚度为1～100纳米。

23.如权利要求19所述晶体管，其特征在于，所述应力衬垫层为西格玛形。

24.如权利要求19所述晶体管，其特征在于，所述种子层的厚度为1～20纳米。

25.如权利要求19所述晶体管，其特征在于，所述种子层的材料为锗，所述应力衬垫层的材料为锗锡。

26.如权利要求25所述晶体管，其特征在于，所述应力衬垫层中，锡在锗锡中的摩尔浓度为1％～10％。