[发明专利]大马士革结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210088627.8 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367233A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 制作方法 | ||
1.一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在金属导电层上依次形成介电层、掩模层；
以至少经过一次图形化处理的所述掩模层为掩模、对所述介电层进行刻蚀，在所述介电层中形成暴露所述金属导电层的沟槽、孔；
利用包含浓双氧水与EKC575的溶液对所述沟槽、孔进行第一清洗处理；
第一清洗处理之后，在等离子体反应腔室中利用包含N2与H2的混合气体对所述沟槽、孔进行处理；
利用稀氢氟酸对所述沟槽、孔进行第二清洗处理。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掩模层包括金属硬掩模。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述金属硬掩模的材质包括TiN、BN。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述浓双氧水的质量百分比浓度为35％。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述浓双氧水与EKC575的体积比为1∶6～1∶3。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一清洗处理的时间为90s～150s。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用包含N2与H2的混合气体对所述沟槽、孔进行处理的过程中，工艺条件为：N2的流量为10sccm～100sccm，H2的流量为10sccm～20sccm，压力为5Torr～100Torr，功率为100W～500W，射频功率为2MHz～60MHz，时间为8s～30s。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述稀氢氟酸是由质量百分比浓度为49％的浓氢氟酸与水按照500∶1～2000∶1的体积比混合而成。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二清洗处理的时间为10s～25s。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介电层为低k介电材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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