[发明专利]可自对准的发光二极管的圆片级封装方法

权利要求书

1.一种可自对准的发光二极管的圆片级封装方法，其特征在于主要包括以下步骤：

第一步，首先在在硅圆片（1）上刻蚀对准槽（2）；

第二步，在硅圆片（1）上刻蚀与发光二极管阵列相对应的发光二极管透镜模具微槽(3)阵列和控制间距的模具微槽(4)阵列，该微槽(4)环绕在透镜模具槽(3)周围，且两者不连通，透镜模具微槽(3)放置适量的热释气剂（5）； 

第三步，将刻蚀后的硅圆片(1)和硼硅玻璃圆片(6)在真空中阳极键合，形成密封腔体；

第四步，将上述键合好的硅圆片和硼硅玻璃圆片在空气中加热至820℃~950℃，并保温0.5~10分钟，热释气剂受热分解产生气体形成球形玻璃微腔(7)，控制间距的模具微槽(4)内外的压力差使熔融玻璃填入间距控制模具微槽(4)形成间距控制凸起环(8)，冷却至常温，退火，去除硅得到发光二极管封装透镜阵列；

第五步，将制备有硅导电通孔的基板刻蚀对准槽（21），与第一步的刻蚀采用同一模板；

第六步，将发光二极管芯片（9）贴装到制备有硅导电通孔及反光杯的基板（10）上；

第七步，将所述圆片级玻璃微腔与基板(10)进行粘结；

第八步，通过间距控制环缺口(81)向发光二极管芯片与圆片级玻璃微腔间隙内填满胶(11)，并固化，实现发光二极管芯片的圆片级封装；

上述步骤中，在第三步制备得到玻璃微腔后在球形玻璃微腔(7)的内表面涂覆荧光粉。