[发明专利]一种太阳能电池用基底的处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种太阳能电池用基底的处理工艺。

背景技术

近年来，随着清洁能源的不断倡导和推广使用，太阳能电池得到快速发展，并被越来越多的应用到诸多领域，但是，太阳能电池中光利用率的提高始终是制约太阳能电池发展的关键因素。

目前，常规的太阳能电池的制造工艺包括酸或碱刻蚀形成绒面、离子扩散、边缘的磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass，PSG)刻蚀、形成抗反射层、丝网印刷烧结、分检测试等步骤。其中，酸或碱刻蚀形成绒面是为了使太阳能电池的受光面形成粗糙的表面，以降低射入太阳能电池内部的光线从受光面折射出去的几率；同时，在太阳能电池的受光面形成抗反射层，能够进一步降低太阳能电池内部的光线从受光面折射出去的几率，提高光线的利用率，从而提高太阳能电池的光电转换效率，通过这种方式，太阳能电池的光电转换效率可以达到16％-17％。

另一方面，太阳能电池的光电转换效率与太阳能电池的工作电压有密切关系，其他参数相同的情况下，工作电压越大，光电转换效率越高。而工作电压通常与太阳能电池基底背面的欧姆接触有关，欧姆接触越好，工作电压越大。但是，现有的太阳能电池的基底背面的欧姆接触一般较差，这在很大程度上限制了太阳能电池光电转换效率的进一步提高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种能够提高的太阳能电池基底背面的欧姆接触的处理工艺，以解决现有技术中太阳能电池基底背面的欧姆接触较差导致太阳能电池的光电转换效率无法进一步提高的缺陷。

为实现上述目的，本发明的一个实施例提供一种太阳能电池用基底的处理工艺，包括

提供太阳能电池用基底；

对所述基底进行制绒处理；

对所述基底进行离子扩散处理；

去除所述基底边缘的磷硅玻璃；

在所述基底的正面形成抗反射层；

其中，所述去除所述基底边缘的磷硅玻璃前还包括：

使用抛光液对所述基底的背面进行抛光处理。

优选地，所述使用抛光液对所述基底的背面进行抛光处理前，还包括：

去除所述基底背面的磷硅玻璃。

优选地，所述抛光液包括有机碱，所述有机碱为四甲基氢氧化铵，所述四甲基氢氧化铵的体积分数为3％-5％。

优选地，所述抛光处理的温度为70℃-85℃，所述抛光处理的时间为90s-200s。

优选地，所述四甲基氢氧化铵的体积分数为4％，所述抛光处理的温度为80℃，所述抛光处理的时间为120s。

根据本发明实施例提供用的太阳能电池用基底的处理工艺，通过在去除该基底边缘的磷硅玻璃之前使用抛光液对该基底的背面进行抛光处理，使得太阳能电池用基底的背面更加平整，由于基底的背面变得平整了，从而使太阳能电池基底的背面有更好的欧姆接触，能够进一步提高太阳能电池的工作电压，进而提高太阳能电池的光电转换效率。另一方面，太阳能电池的基底背面更加平整，能够使射入光线在太阳能电池内部能够被多次反射反复利用，增加了太阳能电池对入射光线的利用率，提升太阳能电池的电流，从而提高太阳能电池的转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的太阳能电池用基底的处理工艺的流程图；

图2是本发明另一实施例的太阳能电池用基底的处理工艺的流程图；

图3是本发明另一实施例的没有经过抛光处理的多晶硅片背面的形貌图；

图4是本发明另一实施例的经过后的抛光处理的多晶硅片背面的形貌图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种太阳能电池用基底的处理工艺，以提高基底背面的平整度，从而提高太阳能电池基底背面的欧姆接触，进而提高太阳能电池的光电转换效率。如图1所示为其流程图，该处理工艺包括：