[发明专利]恒流产生电路以及包括其的微处理器

权利要求书

1.一种恒流产生电路，包括：

温度可变电压产生单元，产生电压值随温度而波动的第一变化电压；

变化梯度调节单元，基于随温度的变化的量小于所述第一变化电压的基准电压和所述第一变化电压产生第二变化电压；以及

电流产生单元，包括电阻值随温度而波动的电流设定电阻器，并基于所述第二变化电压和所述电流设定电阻器产生输出电流，

其中所述变化梯度调节单元设定所述第二变化电压的随温度的变化的系数，使得所述第二变化电压的随温度的变化的系数与所述电流设定电阻器的电阻值的随温度的变化的系数之间的差值处于预设的第一规定范围内。

2.根据权利要求1所述的恒流产生电路，

其中所述变化梯度调节单元包括以下至少一个：

产生多个第一电压的第一梯度电压产生单元；以及

产生多个第二电压的第二梯度电压产生单元，

其中所述第一电压的每一个都具有梯度相反于第一温度特性的梯度的第二温度特性，且所述第一电压具有彼此不同的随温度的变化的系数，

其中所述第二电压的每一个都具有所述第一温度特性的梯度，且所述第二电压具有彼此不同的随温度的变化的系数，

其中当所述第一变化电压具有所述第一温度特性的梯度且所述电流设定电阻器的电阻值具有所述第二温度特性的梯度时，所述变化梯度调节单元采用选自所述第一电压中的一个电压作为所述第二变化电压，并且

其中当所述第一变化电压和所述电流设定电阻器的电阻值具有所述第一温度特性的梯度时，所述变化梯度调节单元采用选自所述第二电压中的一个电压作为第二变化电压。

3.根据权利要求1所述的恒流产生电路，

其中所述变化梯度调节单元包括存储单元，所述存储单元用于存储用来设定所述第二变化电压的梯度的梯度设定值。

4.根据权利要求3所述的恒流产生电路，

其中所述梯度设定值是如下的值：在所述值，第一衬底温度下的输出电流与高于所述第一衬底温度的第二衬底温度下的输出电流之间的差值处于预设的第二规定范围内。

5.根据权利要求3所述的恒流产生电路，

其中所述变化梯度调节单元包括：

反相放大器，所述反相放大器的放大因数由第一和第二电阻器设定，且采用所述第一变化电压作为输入电压；以及

梯度控制单元，所述梯度控制单元基于所述梯度设定值改变所述第二变化电压的所述变化系数，

其中所述第一和第二电阻器各自由多个电阻器构成，且在所述多个电阻之间的各个连接点处提供有输出抽头，并且

其中所述梯度控制单元基于所述梯度设定值切换用于输出所述第二变化电压的所述输出抽头，且由此改变所述第二变化电压的所述变化系数。

6.根据权利要求1所述的恒流产生电路，

其中所述电流设定电阻器的电阻值的变化方向与所述第二变化电压的变化方向彼此相同。

7.根据权利要求1所述的恒流产生电路，

其中所述温度可变电压产生单元输出二极管的正向电压作为所述第一变化电压。

8.根据权利要求1所述的恒流产生电路，

其中所述电流产生单元包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的源极连接至第一电源端子且所述第一晶体管的漏极通过所述电流设定电阻器连接至第二电源端子；

误差放大器，所述误差放大器基于在所述第一晶体管和所述电流设定电阻器之间的节点处产生的电流设定电压与所述第二变化电压之间的电压差将误差电压提供给所述第一晶体管的栅极；以及

第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管以电流镜配置相连接，

其中所述第一晶体管将电流输出至所述电流设定电阻器，以便基于所述误差电压在所述电流设定电阻器两端产生的电压变成所述第二变化电压，并且

其中所述第二晶体管输出与由所述第一晶体管流过所述电流设定电阻器的电流成比例的电流作为所述输出电流。

9.根据权利要求1所述的恒流产生电路，包括：

基准电压产生单元，所述基准电压产生单元基于带隙电压产生所述基准电压。