[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201210089052.1 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102737940A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 山涌纯;舆水地盐 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,在载置台的基板载置区域载置基板,所述载置台设置于真空容器内且兼用作下部电极,所述等离子体处理装置对所述下部电极与上部电极之间施加高频电力使处理气体等离子体化,对基板实施等离子体处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:
环部件,其以包围所述基板载置区域的方式设置在所述载置台上,用于调整等离子体的状态;
绝缘部件,其在所述载置台的上表面和所述环部件的下表面之间沿着该环部件相对于所述载置台上的基板的中心呈同心圆状地设置,用于调整该环部件与基板的电位差,从而将等离子体中的离子引入基板的背面一侧;和
导热部件,其位于在基板的径向上与所述绝缘部件相邻的位置,并且在所述载置台的上表面与所述环部件的下表面之间与该上表面和下表面紧贴,而且沿着所述环部件设置。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述绝缘部件的上表面与所述环部件接触。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述绝缘部件设置于导热部件的、基板的径向上的内侧和外侧双方。
4.一种等离子体处理装置,在载置台的基板载置区域载置基板,所述载置台设置于真空容器内且兼用作下部电极,所述等离子体处理装置对所述下部电极与上部电极之间施加高频电力使处理气体等离子体化,对基板实施等离子体处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:
环部件,其以包围所述基板载置区域的方式设置在所述载置台上,用于调整等离子体的状态;
绝缘部件,其在所述载置台的上表面和所述环部件的下表面之间沿着该环部件相对于所述载置台上的基板的中心呈同心圆状地设置,用于调整该环部件与基板的电位差,从而将等离子体中的离子引入基板的背面一侧;
多个下侧导热部件,其在该绝缘部件与载置台的上表面之间与二者紧贴,分别沿环部件相对于所述载置台上的基板的中心呈同心圆状地设置,并且相互在环部件的径向上分离地设置;和
多个上侧导热部件,其在所述绝缘部件与环部件的下表面之间与二者紧贴,分别沿环部件相对于所述载置台上的基板的中心呈同心圆状地设置,并且相互在环部件的径向上分离地设置。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于:
上侧导热部件和下侧导热部件中的至少一方被形成切口,使得在环部件的径向上相互相邻的导热部件之间的空间与真空容器内的气氛连通。
6.一种等离子体处理装置,在载置台的基板载置区域载置基板,所述载置台设置于真空容器内且兼用作下部电极,所述等离子体处理装置对所述下部电极与上部电极之间施加高频电力使处理气体等离子体化,对基板实施等离子体处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:
环部件,其以包围所述基板载置区域的方式设置在所述载置台上,用于调整等离子体的状态;
绝缘部件,其在所述载置台的上表面和所述环部件的下表面之间沿着该环部件相对于所述载置台上的基板的中心呈同心圆状地设置,用于调整该环部件与基板的电位差,从而将等离子体中的离子引入基板的背面一侧;和
导热部件,其与所述环部件的侧面、绝缘部件的侧面和载置台的侧面这些侧面之间紧贴,并且沿着该环部件设置。
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