[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，

包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体、一第一电极以及一第二电极；

所述基底包括一外延生长面以及与该外延生长面相对的出光面；所述第一半导体层、活性层、第二半导体以及第一电极层依次层叠设置于所述基底的外延生长面；所述第一电极与所述第一半导体层电连接；所述第二电极与所述第二半导体层电连接；

其特征在于，所述出光面具有多个第一三维纳米结构，该第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构，该第一三维纳米结构的横截面为弓形。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一三维纳米结构以直线、折线或曲线并排延伸。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一三维纳米结构按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一三维纳米结构的高度为100纳米~500纳米；所述第一三维纳米结构的宽度为200纳米~1000纳米。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻的两个第一三维纳米结构之间的距离为10纳米~1000纳米。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一三维纳米结构的高度为150纳米~200纳米；所述第一三维纳米结构的宽度为300纳米~400纳米；且相邻的两个第一三维纳米结构之间的距离为100纳米~200纳米。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一三维纳米结构的横截面为半圆形。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述半圆形的半径为150纳米~200纳米。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层靠近活性层的表面进一步包括多个第二三维纳米结构，所述第二三维纳米结构为条形凸起结构、点状凸起结构或条形凸起结构与点状凸起结构的组合。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面形成多个第三三维纳米结构，所述第三三维纳米结构与所述第二三维纳米结构相配合。

11.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层靠近第二半导体层的表面形成一平面结构。

12.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层靠近第二半导体层的表面进一步包括多个第四三维纳米结构。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括一反射层，该反射层设置于所述第二电极远离第二半导体层的表面。