[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201210089076.7 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103367383A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管。
背景技术
由氮化镓半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光发光二极管具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点,已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域,特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。
传统的发光二极管通常包括N型半导体层、P型半导体层、设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层、设置在P型半导体层上的P型电极(通常为透明电极)以及设置在N型半导体层上的N型电极。发光二极管处于工作状态时,在P型半导体层与N型半导体层上分别施加正、负电压,这样,存在于P型半导体层中的空穴与存在于N型半导体层中的电子在活性层中发生复合而产生光线,且光线从发光二极管中射出。
然而,现有的发光二极管的发光效率不够高,部分原因是由于活性层所产生的平行于出光面的侧向光线以及大角度光线难以从出光面射出,从而降低了所述发光二极管的发光效率。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一发光效率较高的发光二极管。
一种发光二极管,包括至少两个LED半导体结构,所述至少两个LED半导体结构设置于同一平面;每一LED半导体结构包括一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极,所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置,所述第一电极与所述第一半导体层电连接,所述第二电极与所述第二半导体层电连接;每一LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极与相邻的LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极相互间隔设置,且每一LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极与相邻的LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极的间距为1微米到1毫米。
一种发光二极管,包括至少两个LED半导体结构;每一LED半导体结构包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层;所述至少两个LED半导体结构共用所述第一半导体层,所述LED半导体结构中的活性层设置在所述第一半导体层的一第一表面且间隔设置。
一种发光二极管,包括两个LED半导体结构,所述两个LED半导体结构设置在同一平面上且相互间隔设置,其中一个LED半导体结构环绕另一个LED半导体结构设置;每一LED半导体结构包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层。
一种发光二极管,包括至少一发光单元以及一光栅结构;每一发光单元均具有至少一个出光面,所述至少一个发光单元发出的光线汇聚于一个汇聚点;所述光栅结构设置于所述汇聚点,该光栅结构具有一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层,所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置,所述光栅结构具有一出光面以及至少一个与所述出光面相交的入光面,每一发光单元的一个出光面正对所述光栅结构的一个入光面,所述光栅结构的出光面设置在所述第二半导体层远离活性层的表面。
一种发光二极管,包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层、一第一电极、至少两个第二电极以及至少一个沟槽;所述第一半导体层具有一第一表面,所述活性层以及第二半导体层依次层叠设置在所述第一表面,且所述第一半导体层与所述活性层相接触,所述至少一个沟槽设置于所述第一半导体层的第一表面,并将所述设置于第一表面上的活性层以及第二半导体层分割为至少两个相互间隔的区域,所述第一电极设置于所述沟槽并与所述活性层电绝缘,所述至少两个第二电极分别与所述至少两个区域中的第二半导体层电连接。
与现有技术相比较,本发明的发光二极管中,由于所述发光二极管包括至少两个LED半导体结构且所述至少两个LED半导体结构位于同一平面,当其中一个两个LED半导体结构通电发光时,其他的两个LED半导体结构可以作为光栅结构将所述两个LED半导体结构所产生的侧向光线转化为垂直于出光面的光线射出,从而提高了所述发光二极管的发光效率。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的发光二极管的剖面图。
图2为本发明第一实施例提供的发光二极管中第二半导体层的结构示意图。
图3为本发明第一实施例提供的发光二极管中第二半导体层的扫描电镜照片。
图4为本发明第一实施例提供的发光二极管中发光单元A1及A2的发光强度对比曲线。
图5为本发明第一实施例提供的发光二极管中发光单元A1及A2以同心回形结构排布的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210089076.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:白光LED
- 下一篇:一种小型断路器远程控制操作机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的