[发明专利]一种半导体量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体量子点发光二极管，其特征在于：该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层和低功函阴极层，或者该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为氧化钼膜。

2.根据权利要求1所述的半导体量子点发光二极管，其特征在于：所述氧化钼膜以二(乙酰丙酮)氧化钼为前驱体，采用溶液加工的方法制备。

3.根据权利要求2所述的半导体量子点发光二极管，其特征在于：通过二(乙酰丙酮)氧化钼在空气中加热转变而成氧化钼膜。

4.根据权利要求1所述的半导体量子点发光二极管，其特征在于：所述氧化钼膜的厚度为

5.根据权利要求1所述的半导体量子点发光二极管，其特征在于：所述衬底为玻璃或柔性衬底。

6.根据权利要求1所述的半导体量子点发光二极管，其特征在于：所述高功函阳极层为透明导电金属氧化物电极层。

7.根据权利要求1所述的半导体量子点发光二极管，其特征在于：所述低功函阴极层为Ca、Al、Mg或它们的合金。

8.权利要求1至7任意一个权利要求所述的半导体量子点发光二极管的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

(a)在衬底上设置高功函阳极层；

(b)在高功函阳极层上旋涂二(乙酰丙酮)氧化钼与溶剂的混合溶液，经烘烤，得到阳极修饰层氧化钼膜；其中，旋涂的转速为1000-5000rpm，烘烤的温度为20-250℃，时间为1分钟到48小时；

(c)在阳极修饰层上依次制备空穴传输层、量子点发光层和低功函阴极层，或者在阳极修饰层上依次制备空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和低功函阴极层，得到半导体量子点发光二极管。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：步骤(b)中，二(乙酰丙酮)氧化钼与溶剂的混合溶液浓度为1-20mg/mL。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述溶剂为异丙醇、异辛醇、乙醇、乙酸乙酯或石油醚中的任意一种或它们的组合。