[发明专利]圆筒型溅射靶材、使用其的配线基板以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种圆筒型溅射靶材，其特征在于，由纯度3N以上的无氧铜形成，并具有圆筒形状，

从外周面侧向着内周面侧，硬度逐渐增加，

并且，从所述外周面侧向着所述内周面侧，(111)面的取向率逐渐增加。

2.如权利要求1所述的圆筒型溅射靶材，其特征在于，构成为使得由从所述外周面侧向着所述内周面侧硬度逐渐增加而引起的所述圆筒型溅射靶材的溅射速度的下降部分与由从所述外周面侧向着所述内周面侧(111)面的取向率逐渐增加而引起的所述圆筒型溅射靶材的溅射速度的增加部分相抵消，从而即使所述圆筒型溅射靶材由于使用而其壁厚逐渐减少，所述圆筒型溅射靶材的溅射速度也一致。

3.如权利要求1或2所述的圆筒型溅射靶材，其特征在于，所述硬度为维氏硬度，所述外周面侧的维氏硬度为75HV以上80HV以下，所述内周面侧的维氏硬度为95HV以上100HV以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的圆筒型溅射靶材，其特征在于，所述外周面侧的所述(111)面的取向率为10％以上15％以下，所述内周面侧的所述(111)面的取向率为20％以上25％以下；

其中，所述(111)面的取向率是通过如下式子求出的值，所述式子中，将由X射线衍射测得的各峰的测定强度分别除以JCPDS卡片编号40836所记载的与所述各峰对应的晶面的峰的标准强度而得的值的合计作为分母，将由X射线衍射测得的(111)面的峰的测定强度除以JCPDS卡片编号40836所记载的(111)面的峰的标准强度而得的值作为分子。

5.如权利要求1～4中任一项所述的圆筒型溅射靶材，其特征在于，结晶粒径在50μm以上100μm以下的范围内。

6.如权利要求1～5中任一项所述的圆筒型溅射靶材，其特征在于，是对挤出管坯实施扩管拉拔加工和热处理而形成的。

7.一种配线基板，其特征在于，具有：

基板，和

在所述基板上形成的配线结构；

所述配线结构的至少一部分是由使用权利要求1所述的圆筒型溅射靶材而形成的溅射膜来构成的。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，具有：

基板，和

在所述基板上形成的包括源电极和漏电极的配线结构；

所述配线结构的至少一部分是由使用权利要求1所述的圆筒型溅射靶材而形成的溅射膜来构成的。