[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，包括：

提供一基板；

进行一第一光罩工艺，以于该基板上形成一栅极电极；

形成一栅极介电层，以覆盖该基板以及该栅极电极；

进行一第二光罩工艺，该第二光罩工艺包括：

于该栅极介电层上依序形成一半导体层、一蚀刻阻挡层以及一硬掩膜层，并于该硬掩膜层上形成一第二图案化光致抗蚀剂；

利用该第二图案化光致抗蚀剂对该硬掩膜层进行一过蚀刻工艺，以于该蚀刻阻挡层上形成一图案化硬掩膜层；

利用该第二图案化光致抗蚀剂对该蚀刻阻挡层进行一第一蚀刻工艺；

利用该第二图案化光致抗蚀剂对该半导体层进行一第二蚀刻工艺，以于该栅极介电层上形成一图案化半导体层；以及

将未被该图案化硬掩膜层覆盖的该蚀刻阻挡层移除以于该图案化半导体层上形成一图案化蚀刻阻挡层；以及

进行一第三光罩工艺，以于该图案化蚀刻阻挡层与该图案化半导体层之上形成一源极电极以及一漏极电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该第二光罩工艺更包括将未被该图案化半导体层覆盖的该栅极介电层移除。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，更包括利用该第一光罩工艺于该基板上形成一垫电极，且利用该第二光罩工艺暴露出部份的该垫电极。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该第三光罩工艺包括：

形成一第二导电层，以覆盖该图案化硬掩膜层以及该图案化半导体层；

于该第二导电层上形成一透明导电层，并于该透明导电层上形成一第三图案化光致抗蚀剂；以及

将未被该第三图案化光致抗蚀剂覆盖的该透明导电层以及该第二导电层移除，以形成一像素电极、该源极电极以及该漏极电极。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，更包括在形成该第二导电层之前，移除该图案化硬掩膜层。

6.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，更包括进行一第四光罩工艺，以于该源极电极以及该漏极电极上形成一间隔层，其中该间隔层具有一像素开口，且该像素开口是至少部分暴露该像素电极。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该第四光罩工艺更包括于形成该间隔层之前，先形成一保护层，以至少部分覆盖该源极电极、该漏极电极以及该图案化蚀刻阻挡层。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该第三光罩工艺包括：

形成一第二导电层，以覆盖该图案化硬掩膜层以及该图案化半导体层；

于该第二导电层上形成一透明导电层，并于该透明导电层上形成一间隔层；以及

将未被该间隔层覆盖的该透明导电层以及该第二导电层移除，以形成一像素电极、该源极电极以及该漏极电极。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该间隔层包括一第一厚度区以及一第二厚度区，且位于该第二厚度区的该间隔层的一厚度是小于位于该第一厚度区的该间隔层的一厚度。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，更包括将该第二厚度区的该间隔层移除，以形成一像素开口，其中该像素开口是部份暴露该像素电极。

11.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该第一光罩工艺包括：

于该基板上依序形成一透明导电层以及一第一导电层，并于该第一导电层上形成一第一图案化光致抗蚀剂；以及

将未被该第一图案化光致抗蚀剂覆盖的该第一导电层以及该透明导电层移除，以形成该栅极电极与一像素电极。

12.如权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该第三光罩工艺包括：

形成一第二导电层，以覆盖该图案化硬掩膜层、该图案化半导体层以及部分的该第一导电层；

于该第二导电层上形成一第三图案化光致抗蚀剂；

将未被该第三图案化光致抗蚀剂覆盖的该第二导电层移除，以形成该源极电极与该漏极电极；以及

将至少部分的未被该第三图案化光致抗蚀剂覆盖的该第一导电层移除以至少部分暴露出该像素电极。