[发明专利]光学记录媒体以及记录材料有效
申请号: | 201210089493.1 | 申请日: | 2012-03-27 |
公开(公告)号: | CN103000198A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 王威翔;徐博凡;李维崇 | 申请(专利权)人: | 铼德科技股份有限公司 |
主分类号: | G11B7/2433 | 分类号: | G11B7/2433;G11B7/2578;G11B7/2548 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 记录 媒体 以及 材料 | ||
技术领域
本发明是有关于一种记录材料以及一种光学记录媒体。
背景技术
例如光盘(CD)及数字影音光盘(DVD)等信息记录媒体已被广泛地使用。近年来,为了提高这些光盘的记忆容量以及记录密度发展了许多技术。提高记忆容量的其中一种方式是减小光盘中轨道的间距及/或数据点的尺寸大小。另一种方式是制造多层的记录结构,亦即具有多层记录层的结构,使空间的利用率提高。然而,在这种多层结构中,记录材料必须具备高的穿透率以及被激光照射时发生稳健可靠的相变化的性质。但是,传统的记录材料无法满足这些要求,因此目前亟需一种新的记录材料,期能成功地应用在多层结构中。
发明内容
本发明的一方面是提供一种用于光学记录媒体的记录材料。此记录材料的组成的化学式为BixGeyO(1-x-y),其中化学式的x及y分别表示铋(bismuth)及锗(germanium)的原子数比,且满足以下数学式:2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)<0.62。
在一实施方式中,记录材料的消光系数为小于或等于0.3,且记录材料的折射率为约2.5至约3。
在一实施方式中,上述化学式的x及y满足以下数学式:0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
本发明的另一方面是提供一种光学记录媒体。此光学记录媒体包含一基材以及一记录层。记录层配置于基材上方。记录层的消光系数小于或等于0.3,且包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的一材料,其中x及y分别表示铋及锗的原子数比,且x及y满足以下数学式:2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)<0.62。
在一实施方式中,光学记录媒体还包含一介电层接触记录层。介电层的折射率为约2.0至约2.5,且记录层的折射率为约2.5至约3.0。
本发明的另一方面是提供一种光学记录媒体。此光学记录媒体包含一基材、一第一保护层、一第二保护层、一介电层以及一记录层。第一保护层配置于基材上。第二保护层配置于第一保护层上方。一介电层位于第一及第二保护层之间,且介电层的折射率为约2.0至约2.5。记录层接触介电层,且记录层的折射率为约2.5至约3.0。记录层包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的材料,其中x及y分别表示铋及锗的原子数比,且x及y满足以下数学式:2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)<0.62。
在一实施方式中,第一及第二保护层各自的折射率为约2.0至约2.7。
在一实施方式中,记录层的折射率与介电层的折射率的差异为约0.25至约0.55。
在一实施方式中,至少一第一及第二保护层包含至少一材料,是选自硫化锌(ZnS)、二氧化硅(SiO2)、氧化铬(Cr2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化铈(CeO2)以及氧化铝(Al2O3)所组成的群组。
在一实施方式中,介电层包含一材料,是选自硫化锌(ZnS)、二氧化硅(SiO2)、氧化铬(Cr2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化铈(CeO2)以及氧化铝(Al2O3)所组成的群组。
在一实施方式中,介电层的厚度为约30nm至约40nm。
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