[发明专利]一种球形四氧化三钴及其制备方法有效
申请号: | 201210089761.X | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103359794A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 宋顺林;王汝娜;刘亚飞;陈彦彬;汤贺军 | 申请(专利权)人: | 北京当升材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C01G51/04 | 分类号: | C01G51/04 |
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地址: | 100070 北京市丰台区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 球形 氧化 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属锂离子电池正极材料的技术领域,具体涉及一种球形四氧化三钴及其制备方法。
背景技术
随着智能手机、平板电脑等高端电子产品的飞速发展,对锂电池的要求也会越来越高,更大的容量更长的待机时间是必然的发展方向,在这个广阔的高端市场领域,高密度钴酸锂占有90%以上的份额。
高密度钴酸锂以氧化钴为原料来制备。由于原料氧化钴的性能对钴酸锂材料有很大影响,所以对于氧化钴制备有着严格的物化指标要求。目前常见的氧化钴制备方法有湿法和干法,其中以湿法为优。
氧化钴湿法合成工艺主要有碳酸钴工艺、氢氧化钴工艺:根据专利申请公开文件CN1376638A中所披露的碳酸钴工艺是液相合成成碳酸钴,高温煅烧得到氧化钴,再与锂源反应,收率低,破碎难,粒度分布差,颗粒小且很难做大,致密度低,不能满足高端钴酸锂的要求。根据专利申请公开文件CN101857277A、CN101434416A、CN101279771A中所披露氢氧化钴工艺是液相合成氢氧化钴,直接与锂源反应,此工艺的颗粒大小及粒度分布可控,致密度较高,煅烧温度低,无需强力破碎,但是此工艺需添加络合剂,通常为有氨体系,废水废气的排放是个严重问题,对环境造成污染,而且氢氧化钴中的杂质含量难以去除。
发明内容
本发明的目的是向本领域提供一种球形四氧化三钴及其制备方法,产品颗粒大小可控,D50能够做到2~20um,粒度分布均匀,致密度高,碱性杂质含量低,产品一致性高;其制备方法简单,无需添加络合剂,容易洗涤,无对环境有害的物质排放,安全友好。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种球形四氧化三钴的制备方法主要包括以下步骤。
(1)将钴盐配制成浓度为0.5~5mol/L的钴盐水溶液;配制浓度为1~10mol/L的沉淀剂;准备合适的氧化剂。
(2)采用并流的方式把钴盐水溶液、沉淀剂和氧化剂同时通入反应釜中,控制pH值为8~12,反应温度为30~90℃,搅拌下反应,使颗粒中粒径达到2~20um,陈化2~10h,反应物经离心、洗涤及二次离心得到前驱体滤饼,直接在400~900℃条件下煅烧2~20h后得到四氧化三钴。
上述的制备方法中,步骤(1)所述的钴盐优选是硫酸钴、氯化钴、硝酸钴或乙酸钴等中的一种或其中几种的混合物。
上述的制备方法中,步骤(1)所述的沉淀剂优选是氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、氢氧化锂、碳酸氢铵、碳酸铵、碳酸氢钠或碳酸钠等中的一种或其中几种的混合物。
上述的制备方法中,步骤(1)所述的氧化剂为氧气、空气、双氧水、过氧化钠、次氯酸钠和过硫酸钠等。
上述的制备方法中,步骤(2)中沉淀剂与钴摩尔比约为1.0~2.5。
上述的制备方法中,步骤(2)中氧化剂与钴盐的摩尔比为0.5~5。
根据以上一种球形四氧化三钴的制备方法所制得的球形四氧化三钴,其特征在于其钴含量为72.0~74.0%,D50约为2~20um,松装密度>0.5g/cm3。
本发明的球形四氧化三钴及其制备方法,其产品粒度D50在2~20um之间,产品颗粒大小可控,粒度分布均匀,致密度高,碱性杂质含量低,产品一致性高;其制备方法简单,无需添加络合剂,过程无有害的物质排放,安全友好。
附图说明
图1为实施例1中制得的球形氧化钴电镜照片;
图2为实施例3中制得的球形氧化钴电镜照片。
具体实施方法
以下通过附图和实施例具体说明本发明的实施方式,但不用来限制本发明的范围。
实施例1
配制4mol/L的硫酸钴盐溶液、8mol/L的氢氧化钠溶液及8mol/L的双氧水溶液,将三种溶液同时并流加入搅拌的反应釜中,控制盐:双氧水:氢氧化钠的摩尔比为1:1:2,控制加液速度使得反应的pH值为8,控制反应温度为60℃,反应后的浆液自然溢流到另一釜内陈化,经离心、洗涤过滤,再在500℃下煅烧8h,得到直径D50=15.51um,松装密度1.64g/cm3的四氧化三钴。
实施例2
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