[发明专利]具有电流注入读出放大器的非易失性存储装置有效

专利信息
申请号: 201210089957.9 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN103366804B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 周耀;钱晓州;白宁 申请(专利权)人: 硅存储技术公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 王岳,王忠忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 电流 注入 读出 放大器 非易失性 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种用于存储装置中的设备,包括:

电流注入器,具有多个注入输出;

多个钳位电路,每个钳位电路连接到所述多个注入输出中的一个;

一个或多个参考单元,其中每个参考单元连接到所述多个钳位电路中的不同的一个钳位电路;

选定存储单元,连接到与所述一个或多个参考单元所连接到的钳位电路不同的所述多个钳位电路之一;和

比较器,连接到所述多个注入输出,其中所述比较器包括指示存储在选定存储单元中的值的一个或多个比较器输出。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述选定存储单元是分栅非易失性存储单元。

3.根据权利要求2所述的设备,其中所述选定存储单元能够存储两种不同值之一。

4.根据权利要求2所述的设备,其中所述选定存储单元能够存储四种不同值之一。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述电流注入器包括四个PMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的设备,其中所述四个PMOS晶体管相同。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述比较器把由一个注入输出发射的电流减去由参考单元汲取的电流与由另一注入输出发射的电流减去由选定存储单元汲取的电流进行比较。

8.一种用于读取存储单元的设备,包括:

电流注入器,具有多个注入输出;

多个钳位电路,每个钳位电路连接到所述多个注入输出中的一个;

一个或多个参考单元,其中每个参考单元连接到所述多个钳位电路中的不同的一个钳位电路;

选定存储单元,连接到与所述一个或多个参考单元所连接到的钳位电路不同的所述多个钳位电路之一;

比较器,连接到所述多个注入输出;和

解码器,连接到比较器的一个或多个输出,其中所述解码器包括指示存储在选定存储单元中的值的一个或多个解码器输出。

9.根据权利要求8所述的设备,其中所述选定存储单元是分栅非易失性存储单元。

10.根据权利要求9所述的设备,其中所述选定存储单元能够存储两种不同值之一。

11.根据权利要求9所述的设备,其中所述选定存储单元能够存储四种不同值之一。

12.根据权利要求11所述的设备,其中多个参考单元包括三个参考单元。

13.根据权利要求12所述的设备,其中所述电流注入器包括四个PMOS晶体管。

14.根据权利要求13所述的设备,其中所述四个PMOS晶体管相同。

15.根据权利要求8所述的设备,其中所述比较器把由一个注入输出发射的电流减去由参考单元汲取的电流与由另一注入输出发射的电流减去由选定存储单元汲取的电流进行比较。

16.一种读取存储单元的方法,包括:

由电流注入器产生多个注入输出;

由一个或多个参考单元从一个或多个注入输出汲取电流,其中每个参考单元通过钳位电路连接到所述多个注入输出中的不同的一个注入输出;

由选定存储单元从与所述一个或多个参考单元通过钳位电路所连接到的注入输出不同的注入输出汲取电流;

由连接到所述多个注入输出的比较器比较两个或更多的电流;以及

由比较器产生指示存储在选定存储单元中的值的一个或多个比较器输出。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述选定存储单元是分栅非易失性存储单元。

18.根据权利要求17所述的方法,其中所述选定存储单元能够存储两种不同值之一。

19.根据权利要求17所述的方法,其中所述选定存储单元能够存储四种不同值之一。

20.根据权利要求16所述的方法,其中所述电流注入器包括四个PMOS晶体管。

21.根据权利要求20所述的方法,其中所述四个PMOS晶体管相同。

22.根据权利要求16所述的方法,其中所述电流注入器产生多个基本上恒定的电流作为注入输出。

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