[发明专利]一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210090097.0 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102623563A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 殷涵玉;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 受光型 晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将原始硅片进行清洗，去除背面损伤层；
(2) 将上述硅片的正面背靠背进行单面硼扩散，硅片背面为扩散面；
(3) 在扩散后的硅片背面沉积掩膜层；
(4) 将硅片的正面进行清洗，去除损伤层，去除绕射扩散层，制绒；
(5) 将硅片的背面背靠背进行单面磷扩散，硅片正面为扩散面；
(6) 去除扩散形成的周边结、杂质玻璃以及掩膜；
(7) 在硅片的两面分别沉积减反膜；
(8) 在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面受光型晶体硅太阳电池。
2.根据权利要求1所述的双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的掩膜层为氮化硅或二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，将硅片放入碱液中进行制绒，使硅片的正面形成绒面结构，同时去除绕射扩散层。
4.根据权利要求1所述的双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，在将硅片进行清洗、去除损伤层之后，对硅片背面进行抛光，形成抛光面。
5.一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将原始硅片进行清洗，去除背面的损伤层；
(2) 将上述硅片的正面背靠背进行单面磷扩散，硅片背面为扩散面；
(3) 在扩散后的硅片背面沉积掩膜层；
(4) 将硅片的正面进行清洗，去除损伤层，去除绕射扩散层，制绒；
(5) 将硅片的背面背靠背进行单面硼扩散，硅片正面为扩散面；
(6) 去除扩散形成的周边结、杂质玻璃以及掩膜；
(7) 在硅片的两面分别沉积减反膜；
(8) 在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面受光型晶体硅太阳电池。
6.根据权利要求5所述的双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的掩膜层为氮化硅或二氧化硅。
7.根据权利要求5所述的双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，将硅片放入碱液中进行制绒，使硅片的正面形成绒面结构，同时去除绕射扩散层。
8.根据权利要求5所述的双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，在将硅片进行清洗、去除损伤层之后，对硅片背面进行抛光，形成抛光面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
