[发明专利]阵列基板结构、阵列基板结构的制造方法与显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板结构，其特征在于，所述阵列基板结构包括：

一第一基板；

多个薄膜晶体管，设置于所述第一基板之上，所述多个薄膜晶体管顶部并各具有一图案化的第一电极层；

一第一介电层，设置于所述第一电极层之上且覆盖所述多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管其第一电极层相对于所述第一介电层处并具有至少一第一贯穿孔；

一第二介电层，设置于所述第一介电层上，所述第二介电层具有一第二贯穿孔，所述第二贯穿孔连通于所述第一贯穿孔；以及

一第二电极层，设置于所述第二介电层上，其中，所述第二电极层经由所述第一贯孔与所述第二贯孔而与所述第一电极层电性耦接。

2.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一贯穿孔的顶端具有一第一宽度，所述第二贯穿孔的底端具有一第二宽度，所述第一宽度实质上等于所述第二宽度。

3.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层之间更设有一第二电极层。

4.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述阵列基板结构更包括一第三介电层，所述第三介电层设置于所述第一介电层和所述第一金属层之间，所述第三介电层具有一第三贯穿孔，所述第三贯穿孔连通于所述第一贯穿孔，所述第一贯穿孔、所述第二贯穿孔和所述第三贯穿孔形成一凹槽。

5.如权利要求4所述的阵列基板结构，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一电极层之间夹有一角度，所述角度小于或等于85°。

6.如权利要求5所述的阵列基板结构，其特征在于，所述角度进一步大于或等于50°。

7.如权利要求4所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第二电极层进一步经由所述第三贯孔而与所述第一电极层电性耦接。

8.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第二介电层的材质为一光感性无机材料。

9.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一电极层经由所述凹槽电性连通于一薄膜晶体管。

10.一种阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述阵列基板结构的制造方法包括：

提供一第一基板；

形成多个薄膜晶体管于所述第一基板之上，所述薄膜晶体管顶部并形成一图案化的第一电极层；

形成一第一介电材料层于所述第一电极层上；

形成一第二介电材料层于所述第一介电材料层上；

提供一光阻层于所述第二介电材料层上；

以所述光阻层为遮罩刻蚀所述第一介电材料层和所述第二介电材料层，以形成一第一介电层和一第二介电层，其中所述第一介电层具有一第一贯穿孔，所述第二介电层具有一第二贯穿孔，所述第二贯穿孔连通于所述第一贯穿孔；以及

形成一第二电极层于所述第二介电层上，其中，所述第二电极层并经由所述第一贯孔与所述第二贯孔而与所述第一电极层电性耦接。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一贯穿孔的顶端具有一第一宽度，所述第二贯穿孔的底端具有一第二宽度，所述第一宽度实质上等于所述第二宽度。

12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述第一介电材料层和所述第二介电材料层的步骤中，是以一刻蚀液刻蚀所述第一介电材料层和所述第二介电材料层。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀液对所述第一介电材料层和所述第二介电材料层具有的刻蚀选择比实质上为1。

14.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，于形成所述第一介电材料层于所述第一基板上后，更包括：

形成一第三电极层于所述第一介电层上；以及

形成所述第二介电材料层于所述第三电极层上。