[发明专利]一种提高随机存储器读出冗余度的方法无效
| 申请号： | 201210090326.9 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102610503A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 随机 存储器 读出 冗余 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，提供静态随机存储器，所述静态随机存储器包括衬底、沟槽和栅极，所述静态随机存储器上包括依次相邻的第一NMO器件、PMOS器件和第二NMOS器件；
步骤2，在所述静态随机存储器上淀积通孔刻蚀停止层和光刻胶；
步骤3，打开所述PMOS器件和第二NMOS器件所在区域的光刻胶；
步骤4，采用元素离子对PMOS器件和第二NMOS器件所在区域进行轰击，以释放被轰击PMOS和NMOS器件所在区域的通孔刻蚀停止层中的应力。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中的通孔刻蚀停止层为氮化钛层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中通过化学气相法淀积通孔刻蚀停止层和光刻胶。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1中第一NMO器件为静态随机存储器的下拉管，PMOS器件为静态随机存储器的上拉管，第二NMOS器件为静态随机存储器的控制管。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中通过锗元素离子对PMOS器件和第二NMOS器件所在区域进行轰击。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3中通过干法刻蚀打开光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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