[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201210090356.X | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103367388A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 李竣凯;苏信远;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 518109 中国广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,至少包括:
第一电极层;
电致发光体,设置于该第一电极层之上;
第二电极层,设置于该电致发光体之上;
相位偏移层,其中该相位偏移层具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面,该第二电极层设置于该第二表面侧;以及
金属层,设置于该第一表面之上,其中一环境入射光从该金属层的表面入射,该环境入射光在该第一表面产生一第一反射光,该环境入射光在该第二表面产生一第二反射光,该第一反射光与该第二反射光具有一相位差。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位差介于90度和270度之间。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位差介于135度和225度之间。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位差是180度。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位偏移层的折射率小于1.8。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位偏移层的消光系数实质上等于0。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位偏移层的厚度以公式表示如下:
d=mλ/(4*N),N=n-jk;
其中d为该相位偏移层的厚度,m为一整数,λ为该环境入射光的波长,N为该相位偏移层的多个折射率,n为该相位偏移层的折射率,j为(-1)-1/2,k为该相位偏移层的消光系数。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位偏移层的厚度为1400至1800埃
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该相位偏移层的材料为具有阻水性的陶瓷膜。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该金属层的折射率为1至5。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该金属层的消光系数为2.5至7。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该金属层的厚度小于或等于100埃。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该金属层选自由铬(Cr)、铝(Al)、钼(Mo),及其组合所组成的族群中。
14.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括一基板,该第一电极层设置于该基板和该电致发光体之间。
15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器,还包括一驱动元件,该驱动元件设置于该基板和该第一电极层之间,且电连接于该第一电极层。
16.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括一基板,该金属层设置于该基板和该相位偏移层之间。
17.如权利要求16所述的有机发光二极管显示器,还包括一驱动元件,该驱动元件设置于该基板和该金属层之间,且电连接于该第二电极层。
18.如权利要求16所述的有机发光二极管显示器,还包括一驱动元件,该驱动元件设置于该相位偏移层和该第二电极层之间,且电连接于该第二电极层。
19.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括一基板,该基板设置于该相位偏移层和该第二电极层之间。
20.如权利要求19所述的有机发光二极管显示器,还包括一驱动元件,该驱动元件设置于该基板和该第二电极层之间,且电连接于该第二电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的