[发明专利]一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法

权利要求书

1.一种用于杆控微波管的阴极，其特征在于：所述的阴极包括阴极发射体(1)和阴极钼筒(2)，阴极发射体(1)为由钨基底和阴极盐组成，阴极钼筒(2)作为阴极发射体的支撑，阴极发射体(1)可完全位于阴极钼筒(2)内圆周上，也可局部突出于阴极钼筒(2)；所述的阴极发射体(1)的发射面呈平面或者是球状面，且阴极发射面上设有一层贵金属镀膜，阴极发射体(1)上设有通孔。

2.根据权利要求1所述的一种用于杆控微波管的阴极，其特征在于：所述的钨基底是将钨粉直接压制进阴极钼筒(2)中形成的。

3.根据权利要求1所述的一种用于杆控微波管的阴极，其特征在于：所述的钨基底是将钨粉压制成钨饼后进行烧结，浸渍阴极盐，经过车加工，再将钨饼与阴极钼筒(2)组装起来，通过钨钴合金焊料槽(3)处填充钨钴合金焊料，而钎焊连接起来。

4.根据权利要求2所述的一种用于杆控微波管的阴极，其特征在于：所述的阴极发射面上的贵金属镀膜为锇铱铝膜，锇铱铝膜的厚度为0.3微米-0.6微米。

5.根据权利要求3所述的一种用于杆控微波管的阴极，其特征在于：所述的阴极发射面上的贵金属镀膜为锇铱铝膜，锇铱铝膜的厚度为0.3微米-0.6微米。

6.一种用于权利要求4所述的用于杆控微波管的阴极的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是，

1)当为阴极体尺寸小、阴极钼筒(2)形状简单的阴极时，将适量钨粉压进阴极钼筒(2)中，控制钨基底的孔隙度为18％-35％；

2)在氢气气氛中浸渍阴极盐，且阴极盐采用2.4BaO∶0.6CaO∶1Al₂O₃，并在1800℃-1850℃温度下保温40s-60s；

3)加工几何尺寸，根据需要将阴极发射面加工成平面发射面或者是球状发射面；

4)在阴极发射体(1)的中心处加工出通孔；

5)对阴极发射体(1)的表面进行离子清洗，并覆上一层0.3微米-0.6微米厚度的锇铱铝膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：钨基底的孔隙度优选控制在21％-25％。

8.一种用于权利要求5所述的用于杆控微波管的阴极的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是，

1)当为阴极体尺寸较大、阴极钼筒(2)外形复杂的阴极时，将钨粉压制成孔隙度为30％±1％的圆柱体钨饼；

2)在氢气气氛中将钨饼烧结，并在1975℃±25℃温度下保温(60±10)分钟，控制钨饼的孔隙度被烧结在23％±2％；

3)在氢气气氛中浸渍阴极盐，且阴极盐采用2.4BaO∶0.6CaO∶1Al₂O₃，并在1800℃-1850℃温度下保温40s-60s；

4)将浸渍阴极盐后的钨饼进行车加工，以便钎焊；

5)将车加工后的钨饼与阴极钼筒(2)组装起来，并用钨钴合金焊料槽(3)处填充钨钴合金焊料，将钨饼与阴极钼筒(2)焊接起来，在氢气气氛中1520℃±20℃温度下保温15s-30s；

6)将钎焊后的阴极进行再次车加工，根据需要加工几何尺寸，并加工出平面发射面或者是球状发射面；

7)在阴极发射体(1)的中心处加工出通孔；

8)对阴极发射体(1)的表面进行离子清洗，并覆上一层0.3微米-0.6微米厚度的锇铱铝膜。