[发明专利]一种钕离子掺杂氟化物激光晶体

权利要求书

1.一种钕离子掺杂氟化物激光晶体，其特征在于，所述氟化物激光晶体-MeF₂中还掺杂有作为与所述钕离子Nd³⁺共掺的一价态阳离子M⁺。

2.根据权利要求1所述的氟化物激光晶体，其特征在于，所述氟化物激光晶体中具有由所述一价态阳离子M⁺与所述钕离子Nd³⁺形成的格位结构[Nd³⁺-M⁺]。

3.根据权利要求1所述的氟化物激光晶体，其特征在于，所述氟化物激光晶体-MeF₂中的Me包括Ca，Sr，Ba，Cd，和/或Pb。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氟化物激光晶体，其特征在于，所述一价态阳离子M⁺包括Na⁺、K⁺、Rb⁺、和/或Ag⁺。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的氟化物激光晶体，其特征在于，所述钕离子Nd³⁺的掺杂浓度为0.2at％-5.0at％。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的氟化物激光晶体，其特征在于，所述一价态阳离子M⁺的掺杂浓度为0.1at％-10.0at％。

7.一种制备权利要求1至4中任一项所述的氟化物激光晶体的方法，其特征在于，将原料NdF₃，MF和MeF₂按照摩尔比0.002～0.05∶0.001～0.1∶1进行配料，并加入量为MeF₂的0-2wt％的PbF₂，采用熔体法于坩埚内生长Nd，M:MeF₂单晶体。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，Nd，M:MeF₂单晶体的生长方法为提拉法，并选择所述坩埚的材料为铱，籽晶采用经X射线衍射仪定向端面法线方向为[111]的MeF₂单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛或含氟气氛(CF₄或HF)中进行。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，Nd，M:MeF₂单晶体的生长方法为温梯法或坩埚下降法，并选择所述坩埚的材料为高纯石墨，坩埚底部不放籽晶或放入经X射线衍射仪定向端面法线方向为[111]的MeF₂单晶棒，晶体生长在高真空或高纯Ar气氛或含氟气氛(CF₄或HF)中进行。