[发明专利]双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构

权利要求书

1.一种双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构,包括:功率半导体晶圆、弹簧针、石墨片、发射极金属片、集电极金属片、上冷却板、下冷却板、陶瓷管壳,其特征在于所述功率半导体晶圆上下表面采用石墨片压接，发射极金属片和集电极金属片分别位于石墨片上作为引线端子引出功率半导体晶圆的集电极和发射极，石墨片、发射极金属片、集电极金属片和功率半导体晶圆均密封封装在陶瓷管壳内，上冷却板和下冷却板分别压接在陶瓷管壳的顶部和底部，上冷却板和下冷却板中设有冷却微通道，微通道内的冷却液通过泵实现循环冷却，在上冷却板中心位置和石墨片、发射极金属片中心位置均设有一孔，孔中压入弹簧针，弹簧针与功率半导体晶圆中心位置的门极接触，弹簧针与上冷却板、发射极金属片、石墨片之间通过绝缘材料隔离并密封。

2.根据权利要求1所述的双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构，其特征在于所述功率半导体晶圆上下表面采用石墨片压接为：石墨片表面通过溅射或刻蚀方法制备高分子绝缘图形的绝缘层断开功率半导体晶圆因生产过程中产生的不合格区域的电接触。

3.根据权利要求1所述的双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构，其特征在于所述弹簧针在功率半导体晶圆中心位置引出门极，弹簧针通过绝缘材料与石墨片、发射极金属片绝缘隔离。

4.根据权利要求1所述的双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构，其特征在于所述上冷却板、下冷却板采用绝缘高导热率材料制造。

5.根据权利要求1所述的双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构，其特征在于所述上冷却板、下冷却板中的微通道为分立型结构。

6.根据权利要求1所述的双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构，其特征在于所述石墨片中预埋温度测量装置的温度传感器、变测量装置的应变计。

7.根据权利要求1所述的双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构，其特征在于所述上冷却板、下冷却板的微通道中安装有流量检测装置的流量传感器。