[发明专利]场板及其电路无效

专利信息
申请号: 201210090951.3 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN102738217A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 安可·赫琳哈;罗布·范达伦 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L29/40 分类号: H01L29/40;H01L21/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 及其 电路
【权利要求书】:

1.一种电路装置,包括:

具有有源区的半导体衬底;

衬底上的电介质材料;以及

具有邻接的第一和第二端部区域的场板,所述第二端部区域进行图案化并且具有由场板的边缘限定的至少一个开口,所述场板配置为响应于施加的电压将场耦合到有源区,经由第二端部区域耦合至有源区的场相对于经由第一端部区域耦合至有源区的场具有较低的强度。

2.根据权利要求1所述的装置,还包括重叠的场板,所述重叠的场板包括:

重叠部分,通过所述场板的第二端部区域与有源区相分隔,并且配置为响应于向其施加的电压经由所述场板将场耦合至有源区;以及

延伸部分,横向地延伸超过所述场板的第二端部区域,并且配置为响应于向其施加的电压直接经由电介质材料将场耦合至有源区的一部分。

3.根据权利要求1所述的装置,

还包括重叠的场板,所述重叠的场板包括:

重叠部分,通过所述场板的第二端部区域与有源区相分隔,并且配置为响应于向其施加的电压经由所述场板将场耦合至有源区;以及

延伸部分,横向地延伸超过所述场板的第二端部区域,并且配置为直接经由电介质材料将场耦合至有源区的一部分,

其中所述场板的第二端部区域配置为利用所述重叠的场板的重叠部分,通过经由第二端部区域和重叠部分将场耦合到有源区来响应于施加至所述场板的电压,所述场小于经由第一端部区域耦合至有源区的场但是大于通过延伸部分耦合的场。

4.根据权利要求1所述的装置,还包括位于所述场板上方、并且从第二端部区域上方的重叠部分横向延伸至与第二端部区域横向相邻的延伸部分的上部场板,所述场板将上部场板的重叠部分与有源区相分隔、并且没有将上部场板的延伸部分与有源区相分隔。

5.根据权利要求1所述的装置,

还包括掩埋绝缘层,以及

其中所述衬底是掩埋绝缘层上的硅衬底,所述硅和所述掩埋绝缘体形成了绝缘体上硅衬底。

6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二端部区域具有外围,所述外围包括从场板的外边缘到场板的内部部分并且返回场板的外边缘非线性地延伸的部分,以限定所述至少一个开口中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二端部区域具有至少一个内部开口,所述内部开口具有由场板限定的侧壁,并且位于限定场板外围的场板边缘内部。

8.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个开口包括狭缝,该狭缝由在切割场板的一部分之后保留的场板的边缘限定。

9.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二端部区域具有至少两个开口,所述开口包括:

具有由第二端部区域的外围限定的侧壁的开口,所述外围包括从场板的外部边缘到场板的内部部分并且返回场板的外部边缘非线性延伸的部分,以及

内部开口,具有由场板限定的侧壁,并且位于限定场板外围的场板边缘内部。

10.根据权利要求1所述的装置,其中:

场板具有由场板的边缘限定的外周长,并且包括由边缘限定的任何开口;以及

第二端部区域的每单位面积的密度小于第一端部区域的每单位面积的密度,各个密度配置为通过第一和第二端部区域设置施加至有源区的相对场。

11.根据权利要求1所述的装置,还包括与场板相连的栅极,所述场板沿横向方向远离栅极并且在漂移区上方延伸。

12.根据权利要求1所述的装置,其中

所述电介质材料包括阶变区,其中衬底和场板之间的电介质材料的厚度变化;以及

所述图案化第二端部区域中的开口中的至少一个大致垂直地布置在所述阶变区上方。

13.根据权利要求1所述的装置,其中

所述有源区掺杂为具有近似线性横向掺杂分布的掺杂分布,所述近似线性横向掺杂分布偏离线性分布;以及

所述图案化第二端部区域中的开口中的至少一个大致垂直地布置在掺杂分布中的转变区上方。

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