[发明专利]金属有机化合物化学气相沉积方法及其装置

权利要求书

1.一种金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，包括：

提供一基座及至少一基片，基座具有一上表面，所述基片设置于所述基座的上表面；

提供用于传输第一气体的具有若干第一出气口的第一进气装置和用于传输第二气体的具有若干第二出气口的第二进气装置，所述第一气体沿着所述第一出气口喷出的方向与所述第二气体沿着所述第二出气口喷出的方向成一夹角，所述夹角的角度数值为60度～120度；

所述第一气体与所述第二气体在所述基片上方形成反应区域，并在所述基片上表面沉积得到一层金属有机化合物；

所述第一气体在所述反应区域内浓度梯度分布，包括A区域和B区域，所述A区域的第一气体平均浓度高于所述B区域的第一气体平均浓度；所述第二气体在所述反应区域内的浓度梯度分布，包括C区域和D区域，所述C区域的第二气体平均浓度高于所述D区域的第二气体平均浓度；

所述A区域与所述C区域间隔排列，所述基片依次通过所述A区域与所述C区域。

2.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述第一气体沿着所述第一出气口喷出的方向与所述第二气体沿着所述第二出气口喷出的方向构成的夹角数值为90度。

3.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述A区域与所述D区域相对应；所述B区域与所述C区域相对应。

4.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述A区域、B区域、C区域、D区域的数量范围皆为4～50个。

5.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述基座中心设置有心轴，所述基座绕所述心轴旋转，所述基座为圆形，多个基片围绕所述心轴分布在所述基座上。

6.如权利要求5所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述第一气体的A区域、B区域或者所述第二气体的C区域、D区域均以所述心轴为中心呈放射状分布。

7.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述基座包括至少一基片承载器，所述基片设置于所述基片承载器上。

8.如权利要求7所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述基片承载器绕其几何中心自转。

9.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述第一气体包括III族金属有机源，所述第二气体包括V族氢化物源。

10.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述第一气体包括V族氢化物源，所述第二气体包括III族金属有机源。

11.如权利要求9或10所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述III族金属有机源包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃气体中的一种或多种；所述V族氢化物源包括NH₃、PH₃、AsH₃气体中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述第一气体的浓度随着与所述第一出气口距离的增加而减小。

13.如权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积方法，其特征在于，所述第二气体的浓度随着与所述第二出气口距离的增加而减小。