[发明专利]晶片的磨削方法有效
申请号: | 201210091157.0 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102737980A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 山口崇;铃木将昭;国重仁志;小山真史;杉冈优介;田中和马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 磨削 方法 | ||
1.一种晶片的磨削方法,所述晶片的磨削方法是对在蓝宝石基板的表面层叠有发光层并且至少在表面侧的外周形成有倒角部的晶片的背面进行磨削的方法,所述晶片的磨削方法的特征在于,
所述晶片的磨削方法至少由下述工序构成:
树脂填充工序,在该工序中,使晶片的表面与支承晶片的硬质基板的表面面对,并且至少在该硬质基板与该晶片的倒角部之间的间隙填充树脂;和
背面磨削工序,在该工序中,在所述树脂固化之后,将所述硬质基板侧保持在能够旋转的卡盘工作台并使所述晶片的背面露出,使呈环状地具备磨削磨具的磨削轮旋转,以使所述磨削磨具通过所述晶片的旋转中心的方式使所述磨削轮接触所述背面来对所述背面进行磨削。
2.如权利要求1中所述的晶片的磨削方法,其中,
在所述树脂中混入磨粒,以防止在所述背面磨削工序中所述磨削磨具的磨具气孔被堵塞。
3.如权利要求1或2中所述的晶片的磨削方法,其中,
在所述背面磨削工序中,磨削晶片的背面直至到达所述倒角部为止。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造