[发明专利]堆叠结合发光二极管有效
申请号: | 201210091184.8 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103367342A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 刘恒 | 申请(专利权)人: | 华夏光股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;文琦 |
地址: | 英属开曼群岛大*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 结合 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种堆叠结合发光二极管,特别是涉及一种四波长混成的全波段白光发光二极管。
背景技术
演色性指数(color rendering index,CRI)系用以显示对象在某待测光源照射下显示之颜色与其在参照光源照射下之颜色两者之相对差异。其数值之评定法为分别以参照光源及待测光源照射在德国工业规格(DIN)6169所规定之八个色样上逐一作比较并量化其差异性;差异性越小,即代表待测光源之演色性越好,演色性指数为100之光源可以让各种颜色呈现出如同被参照光源所照射之颜色。反之,演色性指数值越低,所呈现之颜色越失真。太阳光之演色性指数为100,荧光灯为60~85。一般来说,大于85的演色性指数值即可适用于大部分之应用。
一般的白光发光二极管(LED)是包含蓝色晶粒配黄色荧光粉(YAG)所组成,俗称二波长白光发光二极管,其演色性通常不佳。三波长白光发光二极管主要利用三个波长,透过以蓝光二极管及红、绿荧光粉所封装出的发光二极管结构进行发光。由于采用自然界三原色的原理,比传统二波长白光封装技术表现还更具真实性,逼近太阳光的表现。二波长白光封装发光二极管的演色性指数值低于70,但三波长白光发光二极管的演色性指数值却可达85以上。如果使用四波长白光发光二极管,演色性可以比三波长白光发光二极管更高,演色性指数值可达95以上。
因此,亟需提出一种工艺流程简单且成本低的四波长白光发光二极管,以得到较高的演色性指数。
发明内容
鉴于上述,本发明的目的是提出一种堆叠结合发光二极管,以形成高演色性指数(CRI)的发光二极管,用以混合发出白光或者发出其它色光。
为达到上述目的,本发明提供的堆叠结合发光二极管,包含第一磊晶堆叠发光二极管、第二磊晶堆叠发光二极管及第一结合层。其中,第一结合层让第一磊晶堆叠发光二极管与第二磊晶堆叠发光二极管堆叠结合。在一实施例中,第一磊晶堆叠发光二极管包含至少一蓝光波段发光二极管及至少一绿光波段发光二极管,且第二磊晶堆叠发光二极管包含至少一红光波段发光二极管及至少一黄光波段发光二极管。
其中所述第一磊晶堆叠发光二极管及所述第二磊晶堆叠发光二极管皆包含至少一隧道结,其中所述隧道结为单层或多层,且所述隧道结包含高掺杂结构或极化诱导结构。
其中所述第一磊晶堆叠发光二极管包含多个堆叠的氮化铟镓发光二极管,相邻的所述氮化铟镓发光二极管藉由所述隧道结而相互堆叠。
其中所述第一磊晶堆叠发光二极管包含至少两个不同色光波段发光二极管。
其中所述第一磊晶堆叠发光二极管包含至少一蓝光波段发光二极管及至少一绿光波段发光二极管。
其中所述第一磊晶堆叠发光二极管包含至少两个同一色光波段发光二极管。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管包含多个堆叠的磷化铝铟镓发光二极管,相邻的所述磷化铝铟镓发光二极管藉由所述隧道结而相互堆叠。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管包含至少两个不同色光波段发光二极管。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管包含至少一红光波段发光二极管及至少一黄光波段发光二极管。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管包含至少两个同一色光波段发光二极管。
还包括一第三磊晶堆叠发光二极管及一第二结合层,所述第三磊晶堆叠发光二极管藉由所述第二结合层与所述第二磊晶堆叠发光二极管堆叠结合。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管系采用电致发光原理,且于所述第二磊晶堆叠发光二极管的上与下侧分别设有电极。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管靠近所述第一磊晶堆叠发光二极管处包含一不透明基板。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管系采用光致发光原理,其中所述第一结合层为透明。
其中所述第二磊晶堆叠发光二极管系采用光致发光原理,其中所述第二磊晶堆叠发光二极管靠近所述第一磊晶堆叠发光二极管处包含一透明基板。
其中当所述第一磊晶堆叠发光二极管与所述第二磊晶堆叠发光二极管的堆叠厚度相近时,所述第二磊晶堆叠发光二极管的水平尺寸小于所述第一磊晶堆叠发光二极管的水平尺寸。
其中当所述第一磊晶堆叠发光二极管与所述第二磊晶堆叠发光二极管的水平尺寸相近时,所述第二磊晶堆叠发光二极管的堆叠厚度小于所述第一磊晶堆叠发光二极管的堆叠厚度。
其中所述第一结合层以导电连接方式将所述第一磊晶堆叠发光二极管与所述第二磊晶堆叠发光二极管予以堆叠结合。
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